对三级管的一点思考和总结pdf

1.三极管在ＢＥ之间加上正向电压时，由于外加电场破坏了ＰＮ结的动态平衡（ＰＮ结的动 态平衡是指：多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动达到平衡，这句话很绕，其实 是这样的：也就是说在ＰＮ结的接触面上空穴和自由电子的数目是一样的，从而达到电中性）。 这里我解释一下，为什么在ＰＮ结内会形成内电场？原因是这样的：因为在Ｐ型半导体和Ｎ 型半导体内多数载流的数目是不一样的，从而形成浓度差，自然的进行扩散运动，由于扩散 运动，在 P 型半导体和 N 型半导体的接触面上就会存在电势差，从而就有了电场。而这个 电场力会阻碍 P 型半导体空穴向 N 型半导体移动，而当外加电场时，在 B 和 E 之间加正向 电压时，会削弱内电场，破坏了 PN 结的动态平衡，从而扩散运动源源不断的进行，进而产 生正向电流。

2.当 BE 之间加正向电压时，N 型半导体，也就是 E 极的多数载流子（也就是自由电子）会 进行扩散运动，到达基区，与基区的多数载流子空穴复合（当然复合的电子及其的少）。由 于 E 极的自由电子的扩散运动从而产生 E 极电流，基区的自由电子和空穴复合，这种复合运 动产生 B 极电流，（当然在这里，B 区的空穴也会向 E 极进行扩散运动，产生电路，但及其 微弱，我们研究时都是忽略的）。

3.当Ｃ和Ｅ之间加上反偏电压时，到达基区的自由电子在外加电场力的作用力进行扩散运动， 从而产生Ｃ极电流。Ｃ极电流是扩散运动产生的。

4.我们常说的放大倍数 β 其实是交流放大倍数，还有一个直流放大倍数，它们近似是相等 的。

5.这里我想重点说一下，PN 结的结电容，PN 结的结电容是势垒电容和分布电容的总和，有 电容的存在，那么三级管在对高频信号放大时就需要去考虑它的分布电容对放大能力的影响。 这一点，让我想到了 MOS 开关电路，为什么 MOS 管在做高频开关时，需要接三级管图腾柱 式的输出，就是因为在 MOS 管的 G 和 S 之间存在很大的电容，开关频率过高，电容还未来 得及放电，下一个脉冲信号又来了，MOS 管起不到作用，因为Ｇ和 S 之间的电容在下一个 脉冲信号来之前它没有放电完后，就一直处于导通状态，MOS 管发热及其严重，所以一旦 接了三极管的图腾柱式输出，可以在极短的时间里把电放掉，从而快速的通断。