资料介绍
MCP1401/02 是高速MOSFET 驱动器,可提供500 mA
的峰值电流。反相或同相单通道输出由TTL 或CMOS
电平(3V 至 18V)直接控制。 这些器件还具有低直通
电流、匹配的上升/ 下降时间和传输时延特性,使得它
们成为高开关频率应用的理想选择。
MCP1401/02 器件可由4.5V 至18V 的单电源供电,且
可轻松地在不到19 ns(典型值)的时间内对470 pF 的
栅极电容进行充放电。 在导通和关断状态下,均可提供
足够低的阻抗,以确保即使有很大的瞬态信号也不会影
响MOSFET 的预期状态。
只要在其功率和电压范围内,任何情况下这些器件都很
难闭锁。 当接地端出现幅度小于等于5V (任何极性)
的噪声尖峰时,这些器件也不会损坏。它们能承受大小
在500 mA 内的反向电流灌入其输出端,而不会损坏或
出现逻辑颠倒。 此外,所有引脚都被充分地保护,能承
受最高为3 kV (HBM)和400V (MM)的静电放电
(Electro-static Discharge, ESD)。
的峰值电流。反相或同相单通道输出由TTL 或CMOS
电平(3V 至 18V)直接控制。 这些器件还具有低直通
电流、匹配的上升/ 下降时间和传输时延特性,使得它
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MCP1401/02 器件可由4.5V 至18V 的单电源供电,且
可轻松地在不到19 ns(典型值)的时间内对470 pF 的
栅极电容进行充放电。 在导通和关断状态下,均可提供
足够低的阻抗,以确保即使有很大的瞬态信号也不会影
响MOSFET 的预期状态。
只要在其功率和电压范围内,任何情况下这些器件都很
难闭锁。 当接地端出现幅度小于等于5V (任何极性)
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在500 mA 内的反向电流灌入其输出端,而不会损坏或
出现逻辑颠倒。 此外,所有引脚都被充分地保护,能承
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