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标签:cpu(1269)存储器(1003)FlaSh(358)SDRAM(132)

  SDRAM 与 Flash 不同,它不具有掉电保持数据的特性,但其存取速度大大高于 Flash 存储器,且具有读/写的属性,因此 SDRAM 在系统中主要用作程序的运行空间,数据及堆栈区。当系统启动时,CPU 首先从复位地址 0x0 处读取启动代码,在完成系统的初始化后,程序代码一般应调入 SDRAM 中运行,以提高系统的运行速度,同时,系统及用户堆栈、运行数据也都放在 SDRAM 中。

  SDRAM 具有单位空间存储容量大和价格便宜的优点,已广泛应用在各种嵌入式系统中。 SDRAM 的存储单元可以理解为一个电容,总是倾向于放电,为避免数据丢失,必须定时刷新(充电)。因此,要在系统中使用 SDRAM,就要求微处理器具有刷新控制逻辑,或是在系统中另外加入刷新控制逻辑电路。S3C4510B 和 S3C44B0X 芯片及其他一些 ARM 芯片在片内具有独立的 SDRAM 刷新控制逻辑,可方便地与 SDRAM 接口。但某些 ARM 芯片则没有 SDRAM 刷新控制逻辑,不能直接与 SDRAM 接口,在进行系统设计时应注意这一点。

  SDRAM 是高速的动态随机存取存储器,它的同步接口和完全流水线的内部结构使其拥有极大的数据速率,目前 SDRAM 时钟频率已达 100MHz 以上。另外它们的行、列地址线共用,由行地址选通((CAS)、列地址选通(RAS)信号分时控制。基本存储单元是内存芯片中储存信息的最小的单位,每个存储单元可以存储 1bit 的信息,并且有一个由行地址和列地址共同定义的唯一的地址。我们都知道 8bit 可以在一起组成 1byte(这也就意味着 lbyte 具有 256 种可能的数值),而字节是内存中最小的可寻址的单元。虽然内存基本存储单元具有唯一的地址,但是并不能进行独立的寻址,这将要求内存芯片有数以百计的引脚同计算机通信,显然这是不可能的。现在内存架构是处于同一列的基本存储单元共用一条列地址线,而处于同一行的基本存储单元共用一条行地址线,组成一个基本存储单元构成的矩阵架构。而这些矩阵架构构成一个内存 Bank,SDRAM 内部以 Bank 为组织,可由行、列地址寻址。另外为了保持内部数据还必须进行刷新。

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