单向可控硅充电电路图资料下载

资料大小: 127.47KB

所需积分: 0

下载次数:

用户评论: 0条评论,查看

上传日期: 2021-04-25

上 传 者: 发烧友他上传的所有资料

资料介绍

标签:AC(454)DC(3056)稳压(474)电源(8763)
单向可控硅工作原理单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个电极,由四层半导体PNPN构成。单向可控硅有三个PN结,其内部结构与等效电路符号如图4-10所示。单相可控硅可等效看成一个PNP型三极管Vl和一个NPN型三极管V2组合而成,Vl基极和V2集电极相连,Vl集电极和V2基极相连,此连接处为可控硅控制极G,Vl的发射极为可控硅阳极A,V2的发射极为可控硅阴极K。可控硅没有触发前,阳极A和阴极K之间呈关断状态,可控硅被触发后阳极A和阴极K之间呈导通状态,电流从阳极A流向阴极K,其电路如下图所示。当可控硅控制极G与阴极K之间加正向触发电压时,可控硅导通,负载有电流通过。可控硅导通后,只要A、K之间保持正向电压和维持一定电流,去掉触发电压可控硅仍可保持导通状态。在A、K间电压与电流不能维持导通时,或A、K之间电压极性发生变化时,可控硅则由导通变为截止。单向可控硅充电电路图设计(一) 单向可控硅触发电路图此电路为简易型,电路非常稳定,可供参考。单向可控硅充电电路图设计(二) 12V可控硅充电器电路图(mbbeetchina)

用户评论

查看全部 条评论

发表评论请先 , 还没有账号?免费注册

发表评论

用户评论
技术交流、我要发言! 发表评论可获取积分! 请遵守相关规定。
上传电子资料