功率MOSFET的使用说明详细概述

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上传日期: 2020-09-09

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资料介绍

标签:电源电压(123)控制系统(3012)MOSFET(2251)

  功率 MOS FET一般应用于开关,因此在正常运行中通常使用②限制区。在电路设计上必须注意控制系统截止系统源极电源时的终端电子电路的电源电压和栅极驱动电压的顺序例如图12所示。如图中的实线所示,因为如果到断开电源电压VDD的下降时间长于栅极驱动电压vcs的下降时间时,Vcs在图中的t期间内不能充分驱动,且进入ASO限制区④或区⑤,所以有必要确认是否在安全区域内。另外为了避免这样的工作区域,如虛线所示,可使用通过控制顺序使栅极驱动电压Vs的下降时间迟于电源电压DD的下降时间的有效方功率 MOS FET较多的应用在电子设备应用电路的终端输出电路,并且可以在各种运行条件下使用,因此器件常常会在电路设计者想象不到的地方发生破坏,有时还需要面对这些问题本章的目的是,为了熟练使用功率 MOS FET,在掌握其破坏机理等知识后再进行电子电路的设计,并且在设计完成后的量产中和市场上也尽量不发生发热或破坏等故障

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