IGBT的栅极驱动电路详细学习课件免费下载

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标签:驱动电路(774)IGBT(1126)变压器(3353)

  IGBT的栅极驱动条件密切地关系到它的静态和动态特性。

  栅极电路的正偏压VGE、负偏压-VGE和栅极电阻RG的大小,对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dV/dt电流等参数有不同程度的影响。

  栅极正电压VGE的变化对IGBT的开通特性,负载短路能力和dVCE/dt电流有较大影响。

  栅极负偏压则对关断特性的影响比较大。

  IGBT对栅极驱动电路的特殊要求

  由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化,因而驱动电路性能不好常常导致器件损坏,IGBT对驱动电路有许多特殊的要求:

  1) 驱动电压脉冲的上升率和下降率要充分大。

  2) IGBT导通后,栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度。

  瞬时过载时,栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区而损坏。

  3) IGBT的栅极驱动电路提供给IGBT的正向驱动电压十VGE要取合适的值,特别是具有短路工作过程的设备中使用IGBT时,其正向驱动电压更应选择所需要的最小值。

  4) IGBT的关断过程中,栅一射极间施加的负偏压有利于IGBT的快速关断,但也不宜取的过大。(一般取-10V)

  5) 在大电感负载的情况下,过快的开关速度,反而是有害的,大电感负载在IGBT的快速开通和关断时,会产生高频且幅值很高而宽度很窄的尖峰电压Ldi/dt,该尖峰不易吸收,容易造成器件损坏。

  6) 由于IGBT多用于高压场合,所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离,一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。

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