模电基础知识之100个模电基础知识总结让好快速学好模电

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标签:模电(76)PN结(42)二极管(1338)

  1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为0.1V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V。

  2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。

  3、二极管的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。

  4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。

  5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。

  6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。

  7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7伏;其门坎电压Vth约为0.5伏。

  8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。

  9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。

  10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子(N)半导体两大类。

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