模电基础知识之100个模电基础知识总结让好快速学好模电

　　1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为0.1V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V。

　　2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。

　　3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

　　4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。

　　5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。

　　6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。

　　7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压Vth约为0.5伏。

　　8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。

　　9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。

　　10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。