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IR2110驱动电路设计方案：
IR2110是一种高压高速功率MOSFET驱动器，有独立的高端和低端输出驱动通道，其内部功能原理框图如图1所示。它包括输入/输出逻辑电路、电平移位电路、输出驱动电路欠压保护和自举电路等部分。各引出端功能分别是：1端（LO）是低通道输出；2端（COM）是公共端；）;3端（VCC）是低端固定电源电压；5端（US）是高端浮置电源偏移电压；6端（UB）是高端浮置电源电压；7端（HO）是高端输出；9端（VDD）是逻辑电路电源电压；10端（HIN）是高通道逻辑输入；11端（SD）是输入有效与否的选择端，可用来过流过压保护；12端（LIN）是低通道输入；13端（VSS）是逻辑电路的地端。
如图所示：在BUCK变换器中只需驱动单个MOEFET，因此仅应用了IR2110的高端驱动，此时将12端（LIN）低通道输入接地、1端（LO）低通道输出悬空。5端（US）和6端（UB）间连接一个自举电容C1，自举电容通常为
和
并联使用。正常工作时，电源对自举电容C1的充电是在续流二级管D1的导通期间进行。此时，MOEFET截止，其源极电位接近地电位，，+12v电源通过D2给C1充电，使C1上的电压接近+12v，当MOEFET导通而D1截止时，C1自举，D2截止，C1上存储电荷为IR2110的高端驱动输出提供电源。
实际应用中，逻辑电源VDD接+5V，低端固定电源电压VCC接+12V；对驱动电路测试时需将VS端接地。
自举电容C1的值不能太小，否则其上的自举电压达不到12V，驱动脉冲的幅值不够！自举电容通常为
和
并联使用或（105）
。
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