IGBT系统的介绍

资料大小: 0.6 MB

所需积分: 1

下载次数:

用户评论: 0条评论,查看

上传日期: 2017-12-08

上 传 者: 徐起他上传的所有资料

资料介绍

标签:开关速度(1)功率晶体管(18)IGBT(653)MOSFET(1004)
IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用),频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常 工作于几十kHz频率范围内。
  理想等效电路与实际等效电路如图所示:
  IGBT系统的介绍
  IGBT 的静态特性一般用不到,暂时不用考虑,重点考虑动态特性(开关特性)。
  动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取:
  IGBT系统的介绍
  IGBT的开通过程
  IGBT 在开通过程中,分为几段时间
  1.与MOSFET类似的开通过程,也是分为三段的充电时间
  2.只是在漏源DS电压下降过程后期,PNP晶体管由放大区至饱和过程中增加了一段延迟时间。
  在上面的表格中,定义了了:开通时间Ton,上升时间Tr和Tr.i
  除了这两个时间以外,还有一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=Ton-Tr.i
  IGBT在关断过程
  IGBT在关断过程中,漏极电流的波形变为两段。
  第一段是按照MOS管关断的特性的
  第二段是在MOSFET关断后,PNP晶体管上存储的电荷难以迅速释放,造成漏极电流较长的尾部时间。
  在上面的表格中,定义了了:关断时间Toff,下降时间Tf和Tf.i
  除了表格中以外,还定义trv为DS端电压的上升时间和关断延迟时间td(off)。
  漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成,而总的关断时间可以称为toff=td(off)+trv十t(f),td(off)+trv之和又称为存储时间。

用户评论

查看全部 条评论

发表评论请先 , 还没有账号?免费注册

发表评论

用户评论
技术交流、我要发言! 发表评论可获取积分! 请遵守相关规定。
上传电子资料