lm5110双5a复合门司机负输出电压能力

资料大小: 0.89 MB

所需积分: 0

下载次数:

用户评论: 0条评论,查看

上传日期: 2017-06-20

上 传 者: 李威他上传的所有资料

资料介绍

标签:栅极驱动器(39)LM(140)MOS(55)

  描述

  lm5110双栅极驱动器取代了行业标准的栅极驱动器的输出峰值电流和效率改进。每个“化合物”输出驱动器级包括并联运行的MOS和双极晶体管,它们一起从电容性负载中溢出超过5a的峰值。结合MOS和双极器件的独特特性,降低驱动电流随电压和温度的变化。独立的输入和输出接地引脚提供负驱动能力允许用户驱动MOSFET的栅极电压VGS的正面和负面的。门驱动控制输入被引用到一个专门的输入地(in_ref)。栅极驱动器输出摆幅从地面到输出的VCC VEE可以消极的方面in_ref。举行MOSFET的门和一个负VGS电压驱动能力降低损失低阈值电压的MOSFET作为同步整流器时经常。当驱动与传统的正栅极电压的in_ref和VEE引脚连接在一起,引用一个共同点。还提供欠压锁定保护和关断输入引脚。驱动程序可以与输入和输出并联,驱动电流能力加倍。该器件采用SOIC - 8和热增强wson-10包。

lm5110双5a复合门司机负输出电压能力

用户评论

查看全部 条评论

发表评论请先 , 还没有账号?免费注册

发表评论

用户评论
技术交流、我要发言! 发表评论可获取积分! 请遵守相关规定。
上传电子资料