lm5100/lm5101高压高侧和低侧栅极驱动器

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资料介绍

标签:栅极驱动器(37)lm5(8)MOSFET(651)

  布局的思考

  高和低侧栅极驱动器的最佳性能不能实现不采取适当的。电路板布局中的考虑。强调以下几点。

  1.低ESR / ESL电容必须连接到IC,并在VDD和VSS之间的引脚和之间HB和HS引脚支持高峰值电流绘制从VDD在外部的开启。MOSFET。

  2.为了防止顶部MOSFET漏极的电压瞬变,必须使用低ESR的电解电容器。连接MOSFET漏极和接地(VSS)。

  3.为了避免开关节点(HS)引脚上的大的负瞬变,寄生电感在

  必须将顶部MOSFET的源极和底部MOSFET(同步整流器)的漏极降至最低。

  4.接地的考虑:

  (a)设计接地连接的首要任务是限制高峰值电流。在最小物理面积上充放电MOSFET栅极。这将减少循环。MOSFET栅极端的电感和最小噪声问题。MOSFET应该是尽可能靠近门驱动器。

  (b)第二大电流通路包括自举电容、自举二极管、局部接地。参考旁路电容和低侧MOSFET体二极管。自举电容充电。逐周期的基础上,自举二极管从接地参考VDD旁路电容器。充电发生在很短的时间间隔,涉及高峰值电流。最小化这个循环长度路板上的面积对保证可靠运行非常重要。

lm5100/lm5101高压高侧和低侧栅极驱动器

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