STM32F103主要外设资源和电特性参数详细使用说明

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上传日期: 2020-09-24

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标签:STM32F103(278)定时器(1658)SPI(845)PWM(2422)

  STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE性能线系列采用高性能Arm®Cortex®-M3 32位RISC内核,高速嵌入式内存(闪存高达512 KB,SRAM高达64 KB),以及连接到两个APB的大量增强I/O和外围设备公共汽车。所有设备都提供三个12位ADC、四个通用16位定时器和两个PWM定时器,以及标准和高级通信接口:最多两个I2C、三个SPI、两个I2S、一个SDIO、五个USART、一个USB和一个CAN。STM32F103xC/D/E高密度性能线系列在-40到+105°C的温度范围内工作,从2.0到3.6 V电源。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用程序。f1s/xc系列高密度的应用,如便携式打印机、便携式打印机、便携式打印机等视频对讲机和暖通空调

  STM32F103xC/D/E高密度性能线系列提供六种不同封装类型的设备:从64引脚到144引脚。根据所选设备的不同,包括不同的外围设备集,下面的描述给出了该系列中建议的所有外围设备的概述

  STM32F103xC/D/E是一个完整的系列,其成员完全是针对针、软件和功能兼容的。在参考手册中,STM32F103x4和STM32F103x6被标识为低密度器件,STM32F103x8和STM32F103xB被称为中密度器件,而STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE被称为高密度器件。低密度和高密度设备是STM32F103x8/B中密度设备的扩展,它们分别在STM32F103x4/6和STM32F103xC/D/E数据表中指定。低密度设备具有更低的闪存和RAM容量、更少的定时器和外围设备。高密度设备具有更高的闪存和RAM容量,以及更多的外围设备,如SDIO、FSMC、I2S和DAC,同时保持与家族其他成员的完全兼容。STM32F103x4、STM32F103x6、STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE是STM32F103x8/B设备的一个替代品,允许用户尝试不同的内存密度,并在开发周期中提供更大的自由度。此外,STM32F103xx性能线系列完全兼容所有现有的STM32F101xx接入线和STM32F102xx USB接入线设备。

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