资料介绍
1.什么是FRAM?
FRAM是ferroelectric random access memor}r(铁电随机存取存储器)的首字母缩写,它是非易失性存储器,即便在断电后也能保留数据。尽管从名称上说,FRAM是铁电存储器,但它不受磁场的影响,因为芯片中不含铁基材料(铁)。铁电材料可在电场中切换极性,但是它们不受磁场的影响。
2. FRAM较之闪存/EEPROM具有哪些主要优势?
1)速度。FRAM具有快速写入的特性。写入到FRAM存储器单元的实际时间小于50ns,这超越了所有其他存储器的类似操作。这大约比EEPROM快1000倍。此外,与需要两步(写入命令和随后的读取/验证命令)才能写入数据的EEPROM不同,FRAM的写入操作与读取操作发生在同一过程中。只提供一个存储器访问命令,实现读取或写入功能。因此,与EEPROM写入处理相关联的所有时间实际上在基于FRAM的智能IC中被有效地消除了。
2)低功耗。在低电压下写入FRAM单元,并且只需很低的电流即可更改数据。对于EEPROM,则需要高电压。FRAM使用非常低的电源电压一一1.5V,而EEPROM则使用10-14V电源电压。FRAM的低电压意味着诋功耗,同时能够在更快的处理速度下实现更多功能。
3)数据可靠性。由于只需要少量能量,因此操作FRAM所需的所有能量在数据写入开始时就被预先加载。这就避免了“数据分裂”一由于能源缺乏的关系导致部分数据在写入时被破坏。基于EEPROM的智能IC在写周期内被从射频(RF)磁场电源中移除时就会出现这种情况。此外,FRAM还具有100兆次的写入读取数或更多一一远远超过了EEPROM的写入数量。
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