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电子发烧友网>电子资料下载>DSP>JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程设计方案解析

JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程设计方案解析

2017-10-24 | rar | 0.4 MB | 次下载 | 1积分

资料介绍

  引言
  在采用TI数字信号处理器DSP)的嵌放式硬件系统开发完成,软件也有CCS2.0集成开发环境下仿真测试通过后,怎样将编译、链接后生成的可执行文件(.Out),经过转换后的十六进制文件(.Hex)写入硬件系统的Flash存储器中,让系统脱机运行,这是许多DSP开发人员及初学者遇到并需要解决的问题。
  从JTAG接口对DSP外部Flash的编程方法不只一种。本文以TMS320C6711-150 DSK板为例,介绍“在线仿真状态下”对Flash的编程。
  1 Flash存储器的擦除
  Flash编程之前,应对Flash进行擦除,使其每个数据位都恢复为1状态,即全FF状态。对Flash的擦除操作需要6个总线周期,总线时序如图1。
  JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程设计方案解析
  从图1可知,各总线周期的操作为:
  第一总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;
  第二总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;
  第三总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据80H;
  第四总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据AAH;
  第五总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;
  第六总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据10H。
  完成上述操作后,Flash存储器被完全擦除,内部数据恢复为初始状态,全为FFH。
  在TMS320C6711中,用C语言完成上述操作为:
  void erase_flash()
  {
  *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;
  *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;
  *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0080;
  *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;
  *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;
  *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0010;
  }
  在TMS320C6711系统中,Flash所在地址段为CE1空间,其开始地址为0x90000000。这样,其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在头文件中被定义为:
  #define FLASH_ADR1 0x90005555
  #define FLASH_ADR2 0x90002AAA
  需要说明的是,在对Flash进行擦除时,应对DSP及EMIF外存储器接口进行初始化,CE1空间定义为8位读写模式。
  初始化函数如下:
  void c6x11_dsk_init(){ /*DSP和EMIF初始化*/
  CSR=0x100; /*禁止所有中断*/
  IER=1; /*禁止除NMI外的所有中断*/
  ICR=0xffff; /*清除所有未完成的中断*/
  *(unsigned volatile int *)EMIF_GCR=0x3300;
  *(unsigned volatile int *)EMIF_CE0=0x30;
  *(unsigned volatile int*)EMIF_CE1=0xffffff03;
  *(unsigned volatile int*)EMIF_SDCTRL=0x07227000;
  *(unsigned volatile int*)EMIF_SDRP=0x61a;
  *(unsigned volatile int*)EMIF_SDEXT=0x54529;
  }
  2 Flash存储器的编程
  对Flash存储器进行字节编程之前,需要对它进行3个周期的编程指令操作,总线时序如图2。
  JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程设计方案解析
  从图2可知,各总线周期的操作如下:
  第一总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据AAH;
  第二总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;
  第三总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据A0H;
  第四总线周期——向地址的存储单元写入编程数据;
  ……
  在TMS320C6711中,用C语言完成上述操作为:
  /*---------------------------------------------------------------------*/
  /*入口参数:pattern[]:数组,用于存储编程数据*/
  */ start_address:所要编程的起始地址指针*/
  /* page_size:所要编程的Flash的页面尺寸*/
  /*出口参数:无*/
  /*---------------------------------------------------------------------*/
  void flash_page_prog(unsigned char pattern[],unsigned volatile char *start_address,int page_size){
  volatile int i;
  unsigned volatile char *flash_ptr=start_address;
  *(unsigned volatile char *)FLASH_ADR1=FLASH_KEY1;
  *(unsigned volatile char *)FLASH_ADR2=FLASH_KEY2;
  *(unsigned volatile char *)FLASH_ADR1=FLASH_KEY3;
  for(i=0;i《page_size;i++)
  *flash_ptr++=pattern;
  }
  其中,FLASH_KEY1、FLASH_KEY2、FLASH_KEY3的定义如下:
  #define FLASH_KEY1 0xAA
  #define FLASH_KEY2 0x55
  #define FLASH_KEY3 0xA0
  3 校验和的计算与编程原理
  (1)校验和的计算
  在程序中,应对Flash编程的正确性进行自动检查,把编程前数据的校验和编程后Flash中读出数据的校验和进行比较:如果相同,则编程成功;如果不相同,则编程失败。需要注意的是,在对Flash进行编程的过程中,不能用CCS2.0中的“VIEW/MEMORY…”功能看Flash中的编程数据,这样会导致一会地址编程的失败。
  其C语言程序如下:
  /*----------------------------------------------------------------------*/
  /*入口参数:start_address:所要校验的起始地址*/
  /* size_in_byte:所要校验的Flash数据字节数*/
  /*出口参数:lchecksum:校验和 */
  /*----------------------------------------------------------------------*/
  int flash_checksum(int start_address,int size_in_byte){
  int i;
  int lchecksum;
  unsigned volatile char*flash_ptr=(unsigned volatile char*)
  start_address;
  int temp;
  i=0;
  lchecksum=0;
  while(i《size_in_byte-4){
  temp=*flash_ptr++;
  temp&=0xff;
  lchecksum=lchecksum+temp;
  i++;
  }
  return lchecksum;
  }
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