DRAM内存模块的设计技术

资料大小: 6144

所需积分: 0

下载次数:

用户评论: 0条评论,查看

上传日期: 2008-08-05

上 传 者: 发烧友他上传的所有资料

资料介绍

标签:DRAM(199)

第二部分:DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143
第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143
第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145
第三章 内存模块的时序要求.............................................................................149
3.1 无缓冲(Unbuffered)内存模块的时序分析.......................................149
3.2 带寄存器(Registered)的内存模块时序分析...................................154
第四章 内存模块信号设计.................................................................................159
4.1 时钟信号的设计.......................................................................................159
4.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................162
4.3 地址和控制线的设计...............................................................................163
4.4 数据信号线的设计...................................................................................166
4.5 电源,参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169
第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172
第六章 实际设计案例分析.................................................................................178

目前比较流行的内存模块主要是这三种:SDR,DDR,RAMBUS。其中,RAMBUS
内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨,本文所总
结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。
现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR,它们都被称为同步动态内存,其核
心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进,所以DDR 有时也被称为
SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate,也就是双倍的数据传输率,但是其
时钟频率没有增加,只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操
作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR
内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。

用户评论

查看全部 条评论

发表评论请先 , 还没有账号?免费注册

发表评论

用户评论
技术交流、我要发言! 发表评论可获取积分! 请遵守相关规定。
上传电子资料