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电子发烧友网>电子资料下载>传感与控制>NTD技术的介绍与单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用

NTD技术的介绍与单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用

2017-10-17 | rar | 2.6 MB | 次下载 | 免费

资料介绍

  对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火,采用Hall 电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律。利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨。实验证实NTD氢区熔单晶硅在150~650C 范围内等时退火具有显著特点:在500‘C 下退火,出现电阻率极小值,即出现浓度很高的过量浅施主;P 型向N 型转变温度为400C,迁移率恢复温度为500C,载流子恢复温度为600C,均明显低于NTD氩区熔单晶硅转型温度及迁移率和载流子恢复温度,这与氢积极参与辐照缺陷相互作用直接相关。
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