w25q128fv中文版

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资料介绍

标签:W25Q128FV(2)Flash存储器(39)

w25q128fv中文资料

描述

串行flash 存储器W25Q128BV为那些对空间大小,引脚数,功耗有限制的系统提供了一个存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能比一般的串行flash 设备要高。利用串行FLASH 可以实现代码映射到RAM,直接通过DUAL/QUAD SPI方式来执行代码,存储声音,文本,数据。W25Q128BV 供电范围为2.7——3.6V,在激活状态下电流功耗低到4MA,睡眠状态下则降低到1UA。所有的25Q系列都提供节省空间的封装。

W25Q128BV由65536可编程的页组成的,每页有256个字节。一次最多可以写256个字节。可以一次擦除16页(4KB sector erase),128页(32KB block erase),256页(64KB block erase),或者擦除一整片。W25Q128BV 有4096个可擦除的扇区,256可擦除的块。4KB的扇区对于数据和参数存储有更高的灵活性。

W25Q128BV 支持标准SPI 接口,以及更高性能的DUAL/QUAD SPI ,对应的管脚为时钟,片选,(I/O0)DI,(I/O1)DO,I/O2(/WP),I/O3(/HOLD)。SPI时钟可以达到104MHz,在DUAL使用快速读时就相当于208MHz,在QUAD 使用快速读时相当于320MHz。这个传输速率比一般的异步8位,16位并行FLASH 存储器要快。连续读模式访问存储器的效率很高,只要8个时钟的指令开销就可以读24位地址的数据,这样就可以实现XIP。

HOLD,WP管脚,可编程的写保护,可分为顶部,底部,整个存储器。这些提供了更灵活的控制。一般地,W25Q128BV支持JEDEC标准,一个64位的独立串行数字,包含制造商和芯片ID。

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