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SiT1552 系列超小型精密 32 kHz TCXO

SiTime SiT1552 采用业内最小的基底面封装 (1.5 mm x 0.8 mm CSP),电流消耗仅 990 nA,适用于移动、可穿戴设备、消费电子和物联网应用。

SiTime TempFlat™ MEMS 技术实现了首个 1.2 mm2 芯片级封装的世界上体积最小的 32 kHz TCXO。典型内核供电电流仅为 1 μA。不同于标准晶体振荡器,SiT1552 具备工厂可编程输出 NanoDrive™,降低了电压的摆幅并将功耗降至最低。SiT1552 在多个温度点经过工厂校准,以保证 ±10 ppm 至 ±20 ppm 的极高频率稳定性(初始 + 超温)。


特性和优势

   温度范围内 ±5 ppm 的频率稳定性

   芯片级 (CSP) 的极小基底面:1.5 mm x 0.8 mm

   超低功耗:990 nA(典型值)

   NanoDrive 降低了振荡器输出摆幅

   内部 VDD 电源滤波

   节省板空间

   最大限度提高电池寿命

   可编程输出摆幅,最大限度减少功耗

   消除了外部 VDD 旁路电容器,从而保持超小型基底面

   更高的本地计时、提升了系统功耗,减少了手机和可穿戴设备对网络计时更新的依赖


应用

   智能电表 (AMR)

   健康和保健监视器

   每秒脉冲 (pps) 计时

图片 制造商型号 资料 库存 货期(工作日) 描述 操作
SIT1552AC-JE-DCC-32.768D 10000 香港:
国内:4-5周
-10 to 70C, 1508, 5ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 3k pcs T&R 8 mm
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SIT1552AC-JE-DCC-32.768E 10000 香港:
国内:4-5周
-10 to 70C, 1508, 5ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT1552AC-JE-DCC-32.768G 10000 香港:
国内:4-5周
OSC MEMS TCXO 32.7680KHZ LVCMOS
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SIT1552AI-J1-DCC-32.768D 10000 香港:
国内:4-5周
-40 to 85C, 1508, 20ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 3k pcs T&R 8 mm
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SIT1552AI-J1-DCC-32.768E 10000 香港:
国内:4-5周
-40 to 85C, 1508, 20ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT1552AI-JE-D14-32.768E 10000 香港:
国内:4-5周
OSC MEMS TCXO 32.768KHZ NANODR
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SIT1552AI-JE-DCC-32.768D 10000 香港:
国内:4-5周
-40 to 85C, 1508, 5ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 3k pcs T&R 8 mm
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SIT1552AI-JE-DCC-32.768E 10000 香港:
国内:4-5周
-40 to 85C, 1508, 5ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT1552AI-JE-DCC-32.768G 10000 香港:
国内:4-5周
TCXO 振盪器 32.768KHz 5ppm -40C +85C TCXO
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SIT1552AI-JE-DCC-32.768S 10000 香港:
国内:4-5周
-40 to 85C, 1508, 5ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 10k pcs T&R 8 mm
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SIT1552AI-JF-DCC-32.768D 10000 香港:
国内:4-5周
-40 to 85C, 1508, 10ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 3k pcs T&R 8 mm
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SIT1552AI-JF-DCC-32.768E 10000 香港:
国内:4-5周
-40 to 85C, 1508, 10ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 1k pcs T&R 8 mm
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