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SiT8009B 高频低功耗振荡器

SiTime SiT8009B 提供频率高达 115 MHz 的低功耗性能,且具备 MEMS 稳健性并避免了 EMI 问题。

SiTime SiT8009B 是带有 LVCMOS/LVTTL 兼容型输出的、业内功耗最低的高频振荡器。该器件的 5.5 mA(典型值)电流消耗(采用 1.8 V 供电)实现了更绿色的电子产品,而不会削弱性能。该器件实现了低功耗、出色稳定性、灵活的工作电压和小尺寸的完美结合,适合大量便携式和消费类应用。SiT8009B 系列具有可编程驱动强度,且该特性针对特定应用优化了上升/下降时间。 可编程驱动强度带来的优势包括提升了 EMI 性能、降低了抖动并能驱动大型容性负载。


SiT8009B 振荡器可作为现场可编程器件,配合使用 SiTime 的 Time Machine II 编程器。利用该编程器,可在数秒内按照精确的规范轻松配置现场可编程振荡器。设计人员可配置 MEMS 振荡器的频率、电压、稳定性以及多个特殊功能,如可调节上升和下降时间,从而加快设计速度,优化系统。


特点

   功耗最低的高频振荡器:

           5.5 mA 典型工作电流 (1.8 V)

           1 µA 典型待机电流 (1.8 V)

   小型 2016 和 2520 封装,适用于所有的频率、电压和稳定性

   可配置特性集:

           具有六位小数精度的 115 MHz 至 137 MHz 之间的任何频率

           从 ±20 PPM 至 ±50 PPM 的稳定性

           工业或扩展商用温度

           1.8 V 或 2.5 V 至 3.3 V 电源电压

   SoftEdgeTM 可配置驱动强度


优势

   更长的电池寿命

   可实现更绿色的电子产品

   节省更多板空间,不会降低性能和可用性

   为实现最佳系统性能的自定义规格

   使用相同的基础器件实现多种设计,减少认证需求

   通过较慢上升/下降时间最大限度减少振荡器的 EMI

   通过驱动多个负载并消除了多余的定时元件来节省成本

   减少库存开销

   减轻短路风险


应用

   GPON  

   EPON

   以太网

   SATA/SAS

   SSD

   存储服务器

   PCI

   PCI-E

   DDR

图片 制造商型号 资料 库存 货期(工作日) 描述 操作
SIT8009BC-11-18E-125.000000E 10000 香港:
国内:4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 1.8V, 125MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-11-XXE-125.000000D 10000 香港:
国内:4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-11-XXE-125.000000E 10000 香港:
国内:4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-11-XXE-125.000000G 10000 香港:
国内:4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-12-18E-133.330000D 10000 香港:
国内:4-5周
-20 to 70C, 2520, 25ppm, 1.8V, 133.33MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-12-18E-133.330000E 10000 香港:
国内:4-5周
-20 to 70C, 2520, 25ppm, 1.8V, 133.33MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-12-25E-125.00875D 10000 香港:
国内:4-5周
OSC MEMS 125.00875MHZ LVCMOS SMD
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国内:4-5周
OSC MEMS 125.00875MHZ LVCMOS SMD
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SIT8009BC-13-18E-125.000000D 10000 香港:
国内:4-5周
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 1.8V, 125MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-13-18E-125.000000E 10000 香港:
国内:4-5周
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 1.8V, 125MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-13-30E-125.0000D 10000 香港:
国内:4-5周
OSC MEMS 125.0000MHZ LVCMOS SMD
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国内:4-5周
OSC MEMS 125.0000MHZ LVCMOS SMD
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SIT8009BC-13-33E-125.000000D 10000 香港:
国内:4-5周
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 3.3V, 125MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-13-33E-125.000000E 10000 香港:
国内:4-5周
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 3.3V, 125MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-13-33E-125.000000G 10000 香港:
国内:4-5周
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 3.3V, 125MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-13-XXE-125.000000D 10000 香港:
国内:4-5周
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-13-XXE-125.000000E 10000 香港:
国内:4-5周
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-21-18E-125.000000E 10000 香港:
国内:4-5周
-20 to 70C, 3225, 20ppm, 1.8V, 125MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-21-XXE-125.000000E 10000 香港:
国内:4-5周
-20 to 70C, 3225, 20ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-22-33E-135.000000D 10000 香港:
国内:4-5周
-20 to 70C, 3225, 25ppm, 3.3V, 135MHz, OE, T&R
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