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瑞萨推出第三代车载SJ-MOSFET,同时降低导通电阻和EMI

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澜起科技重磅发布全新第三代津逮CPU!

2021年4月8日,上海——澜起科技,国际领先的高性能处理器和全互连芯片设计公司,正式对外发布其全新第三代津逮CPU,以更好满足数据中心、高性能计算、云服务、大数据、人工智能等应用场景对综合
2021-04-12 14:26:292879

国星光电正式推出一系列第三代半导体新产品

第三代半导体Central issue 2020年10月,国星光电成功举办了首届国星之光论坛,论坛上国星光电宣布将紧抓国产化机遇,迅速拓展第三代半导体新赛道。近期,国星光电正式推出一系列第三代半导体
2021-04-22 11:47:102719

降低高压MOSFET通电阻的原理与方法

以2.4-2.6次方增长,其增长速度使MOSFET制造者和应用者不得不以数十倍的幅度降低额定电流,以 折中额定电流、导通电阻和成本之间的矛盾。
2022-03-17 09:35:332873

国内第三代半导体产业成为行业风口

近年来,国家和各地方政府陆续推出相关政策推动第三代半导体相关产业发展:2017年,工信部、国家发改委发布的《信息产业发展指南》将“第三代化合物半导体”列为集成电路产业的发展重点;而科技部也已将第三代
2022-08-02 08:57:381568

东芝推出具有低导通电阻的新款功率器件

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻,可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品,现已开始出货。
2022-09-01 15:37:53483

第三代双沟槽结构SiC-MOSFET介绍

在SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用,在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低通电阻也备受关注。
2023-02-08 13:43:211381

高速trr SJ-MOSFET:PrestoMOS™系列

上一章基于ROHM的SJ-MOSFET产品阵容,以标准AN系列、低噪声EN系列、高速KN系列为例介绍了SJ-MOSFET的特征。
2023-02-10 09:41:01401

第三代SiC肖特基势垒二极管介绍

ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC-SBD”)产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。
2023-02-10 09:41:07611

东芝推出第三代碳化硅MOSFET来提高工业设备效率

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。这是其第三代碳化硅MOSFET[1][2],具 有低导通电阻和大幅降低的开关损耗。10种产品分别为
2023-02-20 15:46:150

国内第三代半导体产业成为行业风口

近年来,国家和各地方政府陆续推出相关政策推动第三代半导体相关产业发展:2017年,工信部、国家发改委发布的《信息产业发展指南》将“第三代化合物半导体”列为 集成电路 产业的发展重点;而科技部也已将
2023-02-27 15:21:454

SiC-MOSFET与IGBT的区别是什么

相对于IGBT,SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗,实现了高频率工作,有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET,导通电阻较小,可减少相同导通电阻的芯片面积,并显著降低恢复损耗。
2023-09-11 10:12:33568

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