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电子发烧友网>汽车电子>基本半导体碳化硅功率模块装车测试发车仪式在深圳举行

基本半导体碳化硅功率模块装车测试发车仪式在深圳举行

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2023-06-02 15:33:151182

碳化硅肖特基二极管的原理及应用

碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应,即在金属与半导体接触处形成一个肖特基势垒,使得半导体中的载流子向金属一侧偏移,形成整流效应。
2023-06-07 17:10:34802

陆芯精密切割之半导体碳化硅应用领域

1、半导体照明领域以碳化硅为基板的LED在此期间具有更高的亮度、更低的能耗、更长的寿命、更小的单位芯片面积,在大功率LED中具有很大的优势。2.各种电机系统在5kV以上的高压应用中,半导体碳化硅功率
2021-12-07 10:36:02546

碳化硅功率器件测试

碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点,被广泛应用在电动汽车、风能发电、光伏发电等新能源领域。近年来,全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国
2023-05-15 10:04:53804

碳化硅功率器件的基本原理、特点和优势

碳化硅(SiC)功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有许多优势和广泛的应用前景。
2023-06-28 09:58:092320

罗姆收购Solar Frontier碳化硅工厂 计划到2027碳化硅功率半导体业务达139亿

罗姆收购Solar Frontier碳化硅工厂 计划到2027碳化硅功率半导体业务达139亿 罗姆一直看好碳化硅功率半导体的发展,一直在积极布局碳化硅业务。罗姆计划到2025年拿下碳化硅市场30
2023-07-19 19:37:01724

碳化硅是如何制造的?碳化硅的优势和应用

碳化硅,也称为SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍,硼,铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度,但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094

第三代宽禁带半导体碳化硅功率器件的应用

SiC器件是一种新型的硅基MOSFET,特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。 在众多的半导体器件中,碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29344

碳化硅功率器件的结构和工作原理

碳化硅功率器件是一种利用碳化硅材料制作的功率半导体器件,具有高温、高频、高效等优点,被广泛应用于电力电子、新能源等领域。下面介绍一些碳化硅功率器件的基础知识。
2023-09-28 18:19:571220

碳化硅功率器件的产品定位

碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半导体,用于制造电动汽车、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169

三安光电8英寸碳化硅量产加速!

业内人士预测,今年将成为8英寸碳化硅器件的元年。国际功率半导体巨头Wolfspeed和意法半导体等公司正在加速推进8英寸碳化硅技术。在国内市场方面,碳化硅设备、衬底和外延领域也有突破性进展,多家行业龙头选择与国际功率半导体巨头合作。
2023-10-24 17:11:21970

汽车缺“芯”,这是碳化硅功率半导体“上车”的关键

目前汽车业仍结构性缺芯,比如,电源类、控制类、通信类、计算类、功率类的芯片均紧缺。像碳化硅芯片项目投资建设期需18-24个月,去年有许多碳化硅项目的投资,要2025年才会释放产能,预计2025年碳化硅功率半导体的紧缺状况才会得到缓解。
2023-11-17 17:12:18664

基本半导体功率半导体碳化硅时代

目前,全球碳化硅产业处于快速发展阶段。据市场研究机构预测,未来几年碳化硅市场将保持高速增长态势。根据公开信息统计,2022年全球碳化硅市场份额约为18亿美元,该数据包括多家上市公司,如意法半导体、英飞凌、Wolfspeed和安森美罗姆等。
2023-12-06 17:17:37603

碳化硅是如何制造的?碳化硅的优点和应用

碳化硅,又称SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多,但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438

碳化硅三极管的阻值测试方法

碳化硅三极管的阻值测试方法  碳化硅是一种新型的半导体材料,具有优异的热稳定性、高电场饱和漂移速度和较小的漏电流等特点,在高功率和高温应用中具有广泛的应用前景。碳化硅三极管是基于碳化硅材料制造的一种
2023-12-21 11:27:20318

氮化镓半导体碳化硅半导体的区别

氮化镓半导体碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料,在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面的差异。 一、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:18331

碳化硅功率器件简介、优势和应用

碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49382

碳化硅相对传统硅半导体有什么有缺点

碳化硅(SiC)和传统硅半导体(Si)是两种常见的半导体材料,它们在电子器件制造中具有广泛的应用。然而,碳化硅相对于传统硅半导体具有一定的优缺点。 优点: 更高的热导率:碳化硅的热导率是传统硅半导体
2024-01-10 14:26:52236

碳化硅特色工艺模块简介

碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能,碳化硅在电力电子、微波射频、光电子等领域具有广泛的应用前景。然而,由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14294

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