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BASiC SiC Inside! 基本半导体发展驶入“快车道”

2019年09月02日 14:11 次阅读

  近日,国内第三代半导体行业领军企业——深圳基本半导体宣布了一则重磅消息:一辆搭载了基本半导体碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二极管的新能源汽车,至今已累计无故障行驶120天、运行里程超过1万公里!

BASiC SiC Inside! 基本半导体发展驶入“快车道”

  基本半导体正不断提速车规级碳化硅功率器件的研发和测试,在国内第三代半导体企业中脱颖而出,将引领碳化硅器件技术创新,推动功率器件国产替代进程。

  百亿市场的车规碳化硅功率器件

  目前,碳化硅功率器件已实现批量生产,并在光伏逆变器、工业电机等工业领域上广泛使用。新能源汽车是未来碳化硅功率器件的最大应用市场,作为新能源汽车的核心部分,电控和车载电源是碳化硅功率器件的主要应用载体。

  

BASiC SiC Inside! 基本半导体发展驶入“快车道”

  碳化硅MOSFET在电机控制器中有广泛应用前景。特斯拉量产Model 3车型主逆变器采用全碳化硅功率模块作为核心功率器件,单车搭载24颗全碳化硅功率模块。受特斯拉影响,国内外主流主机厂正在加快推进全碳化硅逆变器的研发工作。随着新能源汽车对电力驱动的小型化和轻量化要求的不断提升,碳化硅功率器件凭借其高频高效的特点,正在成为新能源汽车行业的新宠,并将引领新能源汽车行业的技术变革。

  基本半导体提前卡位布局,车规级功率器件呼之欲出

  基本半导体由清华大学、浙江大学、剑桥大学、瑞典皇家理工学院等国内外知名高校博士团队创立,专注于碳化硅功率器件的研发与产业化,旗下碳化硅器件产业链覆盖了外延制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等环节。

  2018年,基本半导体率先发布首款通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET,其沟道电子迁移率达到14cm2/V·S,栅氧击穿场强接近8.8MV/cm,在Tj=150℃条件下Vth》2.5V,且25℃条件下其短路耐受时间超过6μs。经过近1年的市场测试验证,基本半导体碳化硅MOSFET已经顺利进入小批量生产阶段,并在光伏逆变器、车载电源、APF、大功率充电桩电源等行业进行试用。

  

BASiC SiC Inside! 基本半导体发展驶入“快车道”

  同时,基本半导体自主研发的1200V/200A车规级全碳化硅功率模块已完成首批工程样品,将与国内一线主机厂进行联合测试,推进国产碳化硅功率器件在新能源汽车行业的应用。

BASiC SiC Inside! 基本半导体发展驶入“快车道”

  今年5月,基本半导体与广州广电计量检测股份有限公司签署战略合作协议,双方将围绕第三代半导体功率器件开展上下游全产业链进行深度合作,加快推进国产碳化硅功率器件的车规测试认证工作。8月中旬,在国家新能源汽车技术创新中心组织的“中国车规半导体首批测试验证项目”中,基本半导体碳化硅功率器件作为首批上车测试的国产车规半导体,顺利完成了单车累计6000公里的极限高温测试,后续还将参与试验室测试、对标测试及整车搭载的高寒测试。

  基本半导体车规级碳化硅功率器件已呼之欲出,将为新能源汽车的安全性和可靠性保驾护航,加速我国汽车电动化进程。

  进口器件国产替代迫在眉睫

  经过十多年的发展,我国在半导体领域的研发和创新已取得一定成果,尤其第三代半导体材料研究上紧跟世界前沿,工程技术水平和国际先进水平差距逐步缩小。目前,国内碳化硅器件产业链正在逐步建设和完善,市场上碳化硅功率器件主要依赖进口,形成了国际大厂垄断的局面。面对复杂多变的国际形势,推动进口器件的国产替换,已迫在眉睫。

  今年5月,为了加快推进国产碳化硅功率器件在新能源汽车领域应用的步伐,基本半导体携手国内知名车载电源厂商,对自主研发的碳化硅MOSFET进行了一次对标测试。测试结果显示,基本半导体的碳化硅MOSFET性能可媲美国际一线品牌同规格产品,这将成为功率器件国产替代道路上一座重要的里程碑。

BASiC SiC Inside! 基本半导体发展驶入“快车道”

  汽车电子与5G通讯、物联网被认为是下一波拉动半导体产业发展的三驾马车。受益于行业政策支持及环保理念普及,预计全球及中国新能源电动车销量的复合年增长率将达到32%,而功率半导体作为能源转换的核心器件,占新能源汽车半导体成本超过40%,其市场将迎来爆发式增长。

  面对机遇与挑战,基本半导体将加快研发更高功率密度、更大电压电流等级的碳化硅功率器件,打造高质量的国产车规级碳化硅产品,参与制定国内车规半导体标准体系和测试认证体系,实现碳化硅功率器件的自主可控、国产替代,助力“中国智造”走向世界。

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发表于 2019-08-05 00:02 2次阅读
FFSM0865A SiC二极管 -  650V...

FFSH5065A SiC二极管 650V 50...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-05 00:02 0次阅读
FFSH5065A SiC二极管 650V 50...

FFSH40120ADN-F085 SiC 双芯...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度无关的开关特性,以及出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和系统尺寸。成本 特性 最高结温175°C 雪崩额定100 mJ 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 符合AEC-Q101和PPAP能力 应用 终端产品 汽车用HEV-EV车载充电器 汽车HEV-EV DC-DC转换器 汽车HEV-EV车载充电器 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-04 23:02 6次阅读
FFSH40120ADN-F085 SiC 双芯...

FFSH4065A SiC二极管 650V 40...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-04 23:02 0次阅读
FFSH4065A SiC二极管 650V 40...

FFSH40120A SiC肖特基二极管 120...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 正温度系数 易于并行 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-04 19:02 2次阅读
FFSH40120A SiC肖特基二极管 120...

FFSH3065ADN SiC二极管 650V ...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-04 19:02 2次阅读
FFSH3065ADN SiC二极管 650V ...

FFSH3065A SiC二极管 - 650 ...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-04 19:02 2次阅读
FFSH3065A SiC二极管 -  650 ...

FFSH2065ADN SiC二极管 650V ...

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发表于 2019-08-04 18:02 12次阅读
FFSH2065ADN SiC二极管 650V ...

FFSH10120A SiC二极管 1200V ...

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发表于 2019-08-04 18:02 8次阅读
FFSH10120A SiC二极管 1200V ...

FFSH30120A SiC二极管 1200V ...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 正温度系数 易于并行 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-04 17:02 2次阅读
FFSH30120A SiC二极管 1200V ...

FFSH2065A SiC二极管 - 650 ...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-04 17:02 2次阅读
FFSH2065A SiC二极管 -  650 ...

FFSH1665ADN SiC二极管 650V ...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-04 16:02 6次阅读
FFSH1665ADN SiC二极管 650V ...

FFSD0665A SiC二极管 - 650V...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-04 16:02 5次阅读
FFSD0665A SiC二极管 -  650V...

FFSD0865A SiC二极管 - 650V...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-04 16:02 4次阅读
FFSD0865A SiC二极管 -  650V...

FFSD0465A SiC二极管 - 650V...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-04 15:02 2次阅读
FFSD0465A SiC二极管 -  650V...

FFSB10120A SiC二极管 1200V ...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。没有反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及降低的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 雪崩额定200 mJ 无逆向恢复/无正向恢复 易于并行 高浪涌电流容量 正温度系数 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-04 15:02 2次阅读
FFSB10120A SiC二极管 1200V ...

FFSB20120A SiC二极管 1200V ...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。没有反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及降低的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 雪崩额定200 mJ 高浪涌电流容量 正温度系数 易于平行 无逆向恢复/无正向恢复 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-04 15:02 2次阅读
FFSB20120A SiC二极管 1200V ...

FFSD1065A SiC二极管 - 650V...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-04 14:02 4次阅读
FFSD1065A SiC二极管 -  650V...

FFSH1665A SiC二极管 - 650 ...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-04 14:02 2次阅读
FFSH1665A SiC二极管 -  650 ...

FFSB1065A SiC二极管 - 650V...

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发表于 2019-08-04 14:02 7次阅读
FFSB1065A SiC二极管 -  650V...

FFSB0465A SiC二极管 - 650V...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-04 13:02 6次阅读
FFSB0465A SiC二极管 -  650V...

FFSB0865A SiC二极管 - 650V...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-04 13:02 6次阅读
FFSB0865A SiC二极管 -  650V...

FFSM0465A SiC二极管 - 650V...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-04 12:02 5次阅读
FFSM0465A SiC二极管 -  650V...

FFSB1265A SiC二极管 - 650V...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-04 12:02 8次阅读
FFSB1265A SiC二极管 -  650V...

FFSB0665A SiC二极管 - 650V...

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-08-04 12:02 4次阅读
FFSB0665A SiC二极管 -  650V...

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