国际整流器公司IR推出高度创新的600V车用IGBT平台COOLiRIGBT，适合电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 中的各种高速开关应用，包括车载直流-直流转换器、电机驱动器、电池充电器等。
2012-05-17 10:00:20
1085 
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器，其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 日前，德州仪器（TI）宣布推出一款集成式栅极驱动器，该器件提供了可调节的栅极驱动设置，可在更为宽泛的范围内，灵活的驱动外部场效应晶体管（FET），从而支持多种电机，以
2015-07-06 14:35:111971 德州仪器（TI）（NASDAQ： TXN） 近日宣布推出两款新型高速氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）驱动器，进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合，可在激光雷达（LIDAR）以及5G射频
2018-03-12 10:44:0010404 WD0412 是一款基于悬浮衬底和 P_EPI 工艺的600V 高压高低边驱动器，具有高低边两路输出，可以单独驱动两个高压大功率 MOSFET 或 IGBT。WD0412 的输入信号兼容 CMOS
2022-04-28 08:22:451935 
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔离式电源效率与可靠性的新一代双通道输出栅极驱动器，进一步壮大其 MOSFET 驱动器产品阵营。
2012-01-10 09:11:321862 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出紧凑型三相位600V IC IRS2334SPbF和IRS2334MPbF，适用于节能家电及工业应用中的反相电机驱动器。
2012-03-21 08:57:311200 新型TI栅极驱动器提供先进的监控和保护功能，同时还能提升汽车和工业应用中的总体系统效率。
2019-03-19 09:13:241173 通讯应用使用基于半桥、全桥或同步降压功率拓扑的电源模块。这些拓扑使用高性能半桥驱动器实现高频操作和高效率。半桥栅极驱动器采用的技术已在业界成功应用了数十年，UCC27282 120-V 2.5A
2019-08-01 07:20:54
开关频率（高达 100kHz）支持以最低的电流纹波驱动低电感电机带有集成型栅极驱动器的 600V 和 12A LMG3410 GaN FET 可减小 PCB 外形尺寸并降低布局复杂度极速开关转换（小于
2018-10-31 17:33:14
各位大师 请教个问题本人有台开关电源600V/3A。整流后经四个大容，四个场效应管组成的对管，后经变压器，再经整流。开电没问题。只要工作就烧开关管，大功率场效应管，两个对管。问问是怎么回事，会是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
国际整流器公司推出坚固型600 V三相栅极驱动器IC，主要应用于包括永磁电机驱动的家电、工业驱动、微型变频器驱动和电动汽车驱动等在内的高、中和低压电机驱动应用。
2016-06-21 18:20:36
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
为何需要栅极驱动器栅极驱动器的关键参数
2020-12-25 06:15:08
摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-07-09 07:00:00
负电压栅极驱动器中的负电压处理是指承受输入和输出端负电压的能力。这些不必要的电压可能是由于开关转换、泄漏或布局不良引起的。栅极驱动器的负电压承受能力对于稳健可靠的解决方案至关重要。图1显示了TI栅极
2019-04-15 06:20:07
短路保护并影响开关速度的功能。然而，在选择栅极驱动器时，某些特性也是至关重要的。图1：隔离式栅极驱动器ADuM4135的简化原理图电流驱动能力在开关期间，晶体管会处于同时施加了高电压和高电流的状态。根据
2021-11-11 07:00:00
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
隔离电源转换器详解栅极驱动器解决方案选项最优隔离栅极驱动器解决方案
2021-03-08 07:53:35
及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。EG2106 高端的工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V～20V。该芯片输入通道 HIN 内建了一个
2022-09-13 13:22:59
能力和最低交叉传导。Fairchild 的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高 dv/dt 噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路，能使高侧栅极驱动器的工作电压在 VBS=15 V 时高达 VS
2022-01-18 10:43:31
MOS栅极驱动能力及最高600V工作电压下，可提供200mA/300mA的驱动电流。它有三个互相独立的高边和低边输出通路以及全保护功能。此外还有一个用于PFC 或 Brake IGBT驱动的低边驱动器
2021-05-18 07:25:34
IRS26302D：保护式600V三相栅极驱动器
2016-06-21 18:26:25
确保高压侧电源开关的正确驱动。驱动器使用2个独立输入。特性：高压范围：高达600 VdV/dt抗扰度±50 V/nsec栅极驱动电源范围为10 V至20 V高和低驱动输出输出源/汇电流能力250 mA
2021-11-23 13:57:47
具有高脉冲电流缓冲级的设计最小驱动器交叉传导。漂浮的通道可用于驱动N通道电源高压侧配置的MOSFET或IGBT工作电压高达600V。特性：欠压锁定，电压高达600V耐负瞬态电压，dV/dt栅极驱动电源
2021-05-11 19:40:19
单芯片半桥式STDRIVEG600栅极驱动器专为特定的GaN FET驱动要求而设计，具有较短的45ns传播延迟和低至5V的工作电压。STDRIVEG600通过较高的共模瞬态抗扰度、一套集成式保护功能
2023-09-05 06:58:54
变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器，还执行提供短路保护并影响开关速度的功能。然而，在选择栅极驱动器时，某些特性至关重要。
2020-10-29 08:23:33
描述TIDA-00195 参考设计包括一个 22kW 功率级以及 TI 全新的增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器 ISO5852S（适用于各种应用中的电机控制）。此设计可对三相逆变器（其中整合了额定
2018-12-27 11:41:40
您好，我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器，但我们遇到了设备故障和损坏高侧 MOSFET 栅极驱动器的问题。首先，是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
是独立制造的，从而限制了匹配两个通道的能力。这种失配会增加关闭一个通道与打开另一个通道之间的停滞时间，从而导致效率下降。图2. 双光耦合器半桥栅极驱动器光耦合器的响应速度受到原边发光二极管(LED)电容
2018-10-23 11:49:22
。要使光耦合器达到最高速度，需要将LED电流增加至10 mA以上，这会消耗更多功率，缩短光耦合器的寿命并降低其可靠性，尤其是在太阳能逆变器和电源应用中常见的高温环境下。 图2. 光耦合器半桥栅极驱动器
2018-10-16 16:00:23
制造的，从而限制了匹配两个通道的能力。这种失配会增加关闭一个通道与打开另一个通道之间的停滞时间，从而导致效率下降。 图2. 双光耦合器半桥栅极驱动器 光耦合器的响应速度受到原边发光二极管（LED
2018-09-26 09:57:10
与专用栅极驱动器进行特性对比。在电路构成中，有上次介绍过的电解电容器和薄膜电容器。在不使用专用栅极驱动器时，作为栅极误导通对策，增加微法级的CGS，对VGS施加-5V作为负偏压（搭载第二代
2018-11-27 16:36:43
/ dt共模瞬变干扰能力，使其能够防止耗能的杂散开关操作。这些器件内置1700V电气隔离功能，可以降低消费级或工业电机驱动器、600V或1200V变频器、DC / DC转换器、充电器、电焊机、感应炉
2018-08-06 14:37:25
主要差异，以及栅极驱动器将如何为这些差异提供支持。多年来，功率输出系统的功率开关技术选择一直非常简单。在低电压水平(通常为600 V以下)，通常会选择MOSFET；在高电压水平，通常会更多地选择
2018-10-16 06:20:46
的一些主要差异，以及栅极驱动器将如何为这些差异提供支持。多年来，功率输出系统的功率开关技术选择一直非常简单。在低电压水平(通常为600 V以下)，通常会选择MOSFET；在高电压水平，通常会更多地选择
2018-10-16 21:19:44
主要差异，以及栅极驱动器将如何为这些差异提供支持。多年来，功率输出系统的功率开关技术选择一直非常简单。在低电压水平(通常为600 V以下)，通常会选择MOSFET；在高电压水平，通常会更多地选择IGBT
2018-10-24 09:47:32
问题:是否需要专门的栅极驱动器来提供正负电压？
2019-02-28 15:00:15
如果一个特殊的功率器件需要正负栅极驱动，电路设计人员无需特别寻找可进行双极性操作的特殊栅极驱动器。使用一个简单的技巧，就可以使单极性栅极驱动器提供双极性电压！
2019-08-06 06:08:24
FAN7382MX 是一款单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7382 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt
2021-12-16 08:48:48
，全新驱动IC拥有150V/ns（纳秒）或更高的CMTI（共模瞬态抗扰度）性能，在满足逆变器系统所需的高电压和快速开关速度的同时，带来可靠的通信与更强的抗噪能力。新产品在小型SOIC16封装中实现栅极
2023-02-15 11:19:05
各位大大，最近在做双向逆变，想问一下用2变比的高频变压器，高压侧600V降压到300v，升压的时候可以从300V升压超过600V吗，有人说高频变压器可以升压超过原来高压侧输入的电压，请问有懂这个的能说一下能实现升压超过2变比的吗
2018-03-17 15:26:54
国际整流器公司推出一系列新一代500V及600V高压集成电路（HVIC）。这19款新型HVIC采用半桥设计，配有高端和低端驱动器，可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等
2018-08-31 11:23:15
IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2018-10-25 10:22:56
讨论栅极驱动器是什么，为何需要栅极驱动器？考虑一个具有微控制器的数字逻辑系统，其I/O引脚之一上可以输出一个0 V至5 V的PWM信号。这种PWM将不足以使电源系统中使用的功率器件完全导通，因为其过驱电压一般超过标准CMOS/TTL逻辑电压。如此，请大神分析下面两种方式：
2018-08-29 15:33:40
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对
2018-11-01 11:35:35
您好，欢迎观看第三个讨论隔离式栅极驱动器的 TI 高精度实验室讲座。 我们将探讨可以作为隔离式栅极驱动器技术的基准核心参数。 我们将会检查这些参数的数据表定义， 讨论在隔离式和非隔离式驱动器中决定
2022-11-10 07:54:32
驱动器UCC277144A，600V 高侧及低侧驱动器15ns，15ns支持UCC27524A5A，高速低侧双驱动器7ns，6ns支持UCC27211A4A，120V 高侧及低侧驱动器7.2ns
2019-08-07 04:45:12
。 TI的产品组合包括具有行业领先的高速导通传播延迟的栅极驱动器。参见表1。 类别设备描述开启传播延迟高速驱动器UCC27517A4A / 4A高速低侧栅极驱动器13nsUCC276114A / 6A
2019-03-08 06:45:10
4-A、600V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V
2022-12-20 15:04:53
Intersil推出CCD驱动器，用于提供业内最快、最精确的图像传感方案
Intersil公司推出新款电荷耦合器件(CCD)驱动器——ISL55112，为数码成像产品提供了业
2010-01-20 08:38:42613 Maxim推出业内首款2串HB LED驱动器
Maxim推出业内仅有的2串HB (高亮度) LED驱动器MAX16838，理想用于汽车电子。器件集成一路升压或SEPIC开关转换器、2路线性吸电流调节器以
2010-02-03 10:55:47903 IR推出汽车驱动应用的AUIRS2301S 600V IC
国际整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC，适用于汽车电机驱动、微型逆变器驱动和通用三相逆变器应用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:411349 
IR上市600V耐压的车载设备用栅极驱动IC
美国国际整流器公司（IR）上市了+600V耐压的车载设备用栅极驱动IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:32876 TI宣布推出一款完整LED照明驱动器参考板
德州仪器 （TI） 联合 Lemnis Lighting 宣布推出一款完整 LED照明驱动器参考板，帮助解决成
2010-04-15 09:35:45549 用于汽车栅极驱动IC AUIRS2117S/AUIRS2118S
IR推出AUIRS2117S 和AUIRS2118S 600V IC，适用于汽车栅极驱动应用，包括直喷装置和无刷直流电机驱动器。
AUIRS2
2010-05-12 18:19:391012 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 带 600V半桥栅极驱动器的镇流器控制IC 应用：照明 IR2153 IR53H420 IR64HD420 IR2156 IR21571 IR21592 IR21593 IR2166 IR2167
2011-02-09 09:28:47
29 Diodes公司推出ZXGD3005E6 10A栅极驱动器，在电源、太阳能逆变器和马达驱动电路中，实现超快速的功率MOSFET及 IGBT负载切换
2011-03-25 11:29:471088 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相栅极驱动器IC，适用于电动汽车和混合动力汽车中的车用高压电机驱动应用。
2011-10-21 09:45:211669 德州仪器(TI)宣布推出用于配合高密度电源转换器中 MOSFET 与氮化镓 (GaN) 功率场效应晶体管 (FET) 使用的低侧栅极驱动器。
2012-02-11 09:59:081435 
日前，德州仪器 （TI） 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器，其可最大限度减少 MOSFET、IGBT 电源器件以及诸如氮化镓 （GaN） 器件等
2012-04-23 16:48:00952 德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器
2012-04-24 09:56:411411 
日前，德州仪器（TI）宣布推出业界最快的120V汽车用半桥栅极驱动器。该驱动器具备强大的处理功能，可为12V至48V的DC/DC电源提供15ns的传播延迟，并迅速的上升和下降，仅花费1ns即可匹配
2015-07-13 11:34:53805 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 基于数十年的电源管理创新经验，德州仪器（TI）近日宣布推出一款600V氮化镓（GaN）70 mÙ场效应晶体管（FET）功率级工程样片，从而使TI成为首家，也是唯一一家能够向公众提供集成有高压驱动器的GaN解决方案的半导体厂商。
2016-05-05 14:41:39874 了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数 （FOM 即栅极电荷与导通电阻乘积），该参数是600V MOSFET在功率转换应用的关键指标。
2017-02-10 15:10:111667 观看视频系列，“了解您的栅极驱动器”。 栅极驱动器虽然经常被忽视，但是它在电源和电机控制系统等系统中发挥着很重要的作用。我喜欢把栅极驱动器比作肌肉！该视频系列说明了栅极驱动器的工作原理，并重点介绍
2017-04-26 15:18:383420 
高压Gatedriver 600V工艺，替代IR2103，替代FD2503，替代SDC9301
2017-11-23 14:17:3233 高压Gatedriver 600V工艺，替代IR2104，替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346 新型TI栅极驱动器提供先进的监控和保护功能，同时还能提升汽车和工业应用中的总体系统效率。
2019-03-25 17:04:464919 意法半导体的STDRIVE601三相栅极驱动器用于驱动600V N沟道功率MOSFET和IGBT管，稳健性居目前业内最先进水平，可耐受低至-100V的负尖峰电压，逻辑输入响应速度在85ns以内，处于同级产品一流水平。
2019-07-18 09:03:00939 来源：罗姆半导体社区 栅极驱动器的作用 栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET,JFET等，因为MOSFET有个栅极电容，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18987 三相驱动器（如三相600V单芯片栅极驱动器STDRIVE601）的易用性、可用性和经济性是这一发展的主要原因所在。STDRIVE601具有稳健性、简单性和节省成本的特点，同时可确保系统受保护并提供安全功能。
2020-12-24 17:51:54694 FET栅极驱动器和电源的支持组件集成在栅极驱动器中，从而缩减了串联栅极电阻器、栅极灌电流路径二极管、栅源电压(VGS)钳位二极管、栅极无源下拉电阻器和电源等组件的物料清单(BOM)和组装成本。
2021-01-13 14:06:282800 MASTERGAN4 是一种先进的功率系统级封装，在半桥配置中集成了玛瑙驱动器和两个增强型 GaN 功率晶体管。集成功率 GaN 具有 650 V 漏源阻断电压和 225 mΩ RDS（ON），而嵌入式栅极驱动器的高端可由集成自举二极管轻松供电。
2021-06-12 09:24:001428 
8位源极驱动器和864栅极驱动器OTM8019A
2021-08-16 11:31:2610 的MOSFET和IGBT栅极驱动器，广泛应用于DCDC转换器、功率MOSFET和IGBT驱动、DC/AC转换器等领域。 ir2110替代芯片ID7S625特征 ■ 芯片工作电压范围10V~20V ■ 输入
2022-07-30 16:48:441471 使用TI功能安全栅极驱动器增加HEV/EV牵引逆变器的效率
2022-10-28 11:59:410 使用隔离式栅极驱动器的实用设计指南
2022-11-14 21:08:4310 新推出的160V MOTIX™三相栅极驱动器IC
2023-02-10 16:58:26187 如果特定功率器件需要正极和负栅极驱动，电路设计人员无需寻找专门处理双极性操作的特殊栅极驱动器。使用这个简单的技巧使单极性栅极驱动器提供双极性电压！
2023-02-16 11:04:58518 
栅极驱动参考 1.PWM直接驱动2.双极Totem-Pole驱动器3.MOSFET Totem-Pole驱动器4.速度增强电路5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中，驱动主开关
2023-02-23 15:59:0017 高侧非隔离栅极驱动 1.适用于P沟道的高侧驱动器2.适用于N沟道的高侧直接驱动器 1.适用于P沟道的高侧驱动器 高侧非隔离栅极驱动可按照所驱动的器件类型或涉及的驱动电路类型来分类。相应地，无论是
2023-02-23 15:35:241 PT5616/PT5616A是全桥驱动IC，在最大阻断电压为600V的三相系统中，用于控制功率器件，如MOS晶体管或IGBT。
2023-02-24 18:13:331589 栅极驱动器是一个用于放大来自微控制器或其他来源的低电压或低电流的缓冲电栅极驱动器的原理及应用分析用中，微控制器输出通常不适合用于驱动功率较大的晶体管。
2023-05-17 10:14:526260 
阀和电机驱动器方面的应用扩展，车用栅极驱动器的需求日益增长。矽力杰高低边栅极驱动器矽力杰SA52631是一款高压高低边半桥驱动器，用于直接驱动高边和低边通道。半桥通道可
2022-10-13 11:28:341864 
新品IMI111T-iMOTION带有微控制器、栅极驱动器和IGBT的IPM智能功率模块集成了电机控制器、三相栅驱动器600V/2A和600V/4AIPM,在没有散热器情况可以驱动50W/70W电机
2023-02-06 11:03:41670 
图1所示电路显示了一个电路，其中低压微控制器与高压域（包括输出开关及其栅极驱动器）电气隔离（出于安全原因）。更快的开关速度意味着更快的开关瞬变。例如，GaN功率系统的开关时间通常为5ns（比传统
2023-06-28 14:33:33276 
电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 供应ID7U603SEC-R1 600V半桥MOS栅极驱动IC，提供ID7U603规格书关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:11:044 供应ID5S609SEC-R1 600V高低侧栅极驱动芯片可代换IR2304，提供id5s609芯片资料关键参数 ，广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、半桥功率逆变器
2023-07-20 14:20:134 使用隔离式栅极驱动器的设计指南（一）
2023-11-28 16:18:10272 
必易微新推出的栅极驱动器 KP85402，专为家用电器和工业新能源等应用场景而设计。这款产品旨在为客户提供一个高可靠性、低成本的解决方案，以满足各种栅极驱动需求。
2024-01-08 15:33:25390
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