晶体管类型 :
PNP
集射极击穿电压Vce(Max) :
40V
DC电流增益(hFE)(Min&Range) :
100
集电极电流 Ic :
200mA
Vce饱和压降 :
300mV
功率耗散 :
200mW
跃迁频率 :
300MHz
工作温度 :
+150℃
安装类型 :
SMT
封装/外壳 :
SOT-23
集电极-发射极电压 VCEO :
40V
PNP Ic=-200mA Vceo=-40V hfe=100~300 fT=300MHz P=200mW SOT-23
MMBT3906 100-300 编带由JCET设计生产。MMBT3906 100-300 编带封装/规格:晶体管类型/PNP:集射极击穿电压Vce(Max)/40V:DC电流增益(hFE)(Min&Range)/100:集电极电流 Ic/200mA:Vce饱和压降/300mV:功率耗散/200mW:跃迁频率/300MHz:工作温度/+150℃:安装类型/SMT:封装/外壳/SOT-23:集电极-发射极电压 VCEO/40V:,PNP Ic=-200mA Vceo=-40V hfe=100~300 fT=300MHz P=200mW SOT-23。你可以下载MMBT3906 100-300 编带中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有通用三极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程