输入偏置电压(Vos) ：
1.1mV
封装/外壳 ：
SOIC8_150MIL
电源电压，单/双（±） ：
3V~16V,±1.5V~±8V
输入偏置电流 ：
0.6pA
通道数 ：
2
增益带宽积（GBP） ：
85KHz
-3db带宽 ：
-
压摆率 ：
30mV/μs
共模抑制比 - CMRR ：
94dB
工作温度 ：
0℃~+70℃
存储温度 ：
-65~+150℃
长x宽/尺寸 ：
4.90 x 3.90mm
高度 ：
1.75mm
安装类型 ：
SMT
引脚数 ：
8Pin
脚间距 ：
1.27mm
元件生命周期 ：
Active
原始制造商 ：
Texas Instruments Incorporated
原产国家 ：
America
认证信息 ：
RoHS
双路，16-V，85 kHz，低功率（10μA/ch），In-to-V-运算放大器
TLC27L2CDR由TI设计生产。TLC27L2CDR封装/规格：输入偏置电压(Vos)/1.1mV：封装/外壳/SOIC8_150MIL：电源电压，单/双（±）/3V~16V,±1.5V~±8V：输入偏置电流/0.6pA：通道数/2：增益带宽积（GBP）/85KHz：-3db带宽/-：压摆率/30mV/μs：共模抑制比 - CMRR/94dB：工作温度/0℃~+70℃：存储温度/-65~+150℃：长x宽/尺寸/4.90 x 3.90mm：高度/1.75mm：安装类型/SMT：引脚数/8Pin：脚间距/1.27mm：元件生命周期/Active：原始制造商/Texas Instruments Incorporated：原产国家/America：认证信息/RoHS：，双路，16-V，85 kHz，低功率（10μA/ch），In-to-V-运算放大器。你可以下载TLC27L2CDR中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有通用放大器详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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