输入偏置电压(Vos) ：
7.5mV
静态电流（Max） ：
7.5mA
封装/外壳 ：
SOIC8_150MIL
通道数 ：
-
电源电压，单/双（±） ：
3.5V~30V,±1.75V~15V
输出电流 ：
-
输入偏置电流 ：
250nA
输出类型 ：
MOS,Open-Collector,Open-Emitter,TTL
传播延迟时间 ：
-
工作温度 ：
0℃~+70℃
存储温度 ：
-65~+150℃
长x宽/尺寸 ：
4.90 x 3.90mm
高度 ：
1.75mm
安装类型 ：
SMT
引脚数 ：
8Pin
脚间距 ：
1.27mm
元件生命周期 ：
Active
原始制造商 ：
Texas Instruments Incorporated
原产国家 ：
America
认证信息 ：
RoHS
差分比较器
LM311DR由TI设计生产。LM311DR封装/规格：输入偏置电压(Vos)/7.5mV：静态电流（Max）/7.5mA：封装/外壳/SOIC8_150MIL：通道数/-：电源电压，单/双（±）/3.5V~30V,±1.75V~15V：输出电流/-：输入偏置电流/250nA：输出类型/MOS,Open-Collector,Open-Emitter,TTL：传播延迟时间/-：工作温度/0℃~+70℃：存储温度/-65~+150℃：长x宽/尺寸/4.90 x 3.90mm：高度/1.75mm：安装类型/SMT：引脚数/8Pin：脚间距/1.27mm：元件生命周期/Active：原始制造商/Texas Instruments Incorporated：原产国家/America：认证信息/RoHS：，差分比较器。你可以下载LM311DR中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有比较器详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
工商网监
湘ICP备 2023018690 号
