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深圳市骊微电子科技
芯朋微、士兰微、启臣微、富满代理,电源芯片/驱动芯片、MOS、IGBT、二三极管等电子料,免费试样,提供技术支持!
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PN8024 12V0.25A/5V0.05A电饭锅电源芯片
型号:
PN8024RNSC-T1B
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--- 产品参数 ---
品牌
芯朋微
型号
PN8024RNSC-T1B
封装
SOP-7/DIP-7
电压
12V
功率
3.0W-3.6W
--- 产品详情 ---
PN8024
非隔离高效率交直流转换芯片,典型应用
12V0.25A/5V0.05A电饭锅电源芯片方案,更多产品手册、应 用料资请向骊微电子申请。>>
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OCB8870代换芯片PN7709SP-A1两通道直流马达驱动芯片
2024-04-17 14:13
产品型号:OCB8870
品牌:芯朋微
型号:OCB8870
替代料:PN7709SP-A1
封装:SOP8-PP
持续电流:3.8A
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晶体管AP8003ZAC-T1非隔离5V200mA交直流转换芯片-芯朋微代理
2024-04-11 15:31
产品型号:AP8003ZAC-T1
品牌:芯朋微
型号:AP8003ZAC-T1
封装:TO-92
电压:5V
电流:0.2A
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CR5842 65W电流模式PWM控制器可替换OB5269/LD7575-启臣微代理商
2024-03-28 10:24
产品型号:CR5842
品牌:启臣微
型号:CR5842
封装:SOP-8
代换:OB5269/LD7575
功率:65W
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PN8273SS-P1带高压启动模块交直流转换芯片-PN8273芯片
2024-03-25 15:50
产品型号:PN8273SS-P1
品牌:芯朋微
型号:PN8273SS-P1
封装:SOP7
功率:120W
空载待机功耗:< 50 mW
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APG10N10G PD快充同步整流mos管55a 耐压100v替换095N01参数
2024-03-25 15:32
产品型号:APG10N10G
品牌:铨力
型号:APG10N10G
封装:PDFN5X6
耐压:100V
电流:55A
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杰华特JW7707F同步整流控制IC-5V3.1A/3.4A电源方案
2024-03-25 15:22
产品型号:JW7707F
品牌:杰华特
型号:JW7707F
封装:SOP-8
MOS电压:50V
MOS内阻:7mΩ
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FP6606ACAP6 18W-45W 具有VBUS放电1A1C PD快充协议IC芯片
2024-03-25 15:04
产品型号:FP6606ACAP6
型号:FP6606AC
品牌:双钰
封装:CPC-20L
VDD电压:3.2V to 6.8V
VBUS:5V to 20V
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OB2570/OB2571/OB2576/OB2578代换芯片CR6212BSM规格参数
2024-03-06 15:02
产品型号:CR6212BSM
品牌:启臣微
型号:CR6212BSM
封装:SOP-8
功率:24W
电压:5V/12V
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CR6212BSJ-5V/12V高效率电源方案替代OB2570/OB2571/OB2576/OB2578芯片
2024-03-06 14:54
产品型号:CR6212BSJ
品牌:启臣微
型号:CR6212BSJ
封装:SOP-8
功率:18W
电压:5V/12V
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ob2570/ob2571/ob2576/ob2578代换料CR6212BSH原边检测PWM开关
2024-03-06 14:47
产品型号:CR6212BSH
品牌:启臣微
型号:CR6212BSH
替代:ob2570/ob2571/ob2576/ob2578
功率:15W
封装:SOP-8
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逆变器mos管常用型号,60-80v低内阻mos管系列!
2023-06-26 16:30
MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关,骊微电子60-80V低压mos系列,常用于光伏储能、BMS、逆变器等领域,是光伏储能、BMS、逆变器专用mos管!耐压60Vmos管系列:主要有SVG062R8NL5、SVG063R5
MOS
内阻
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富满常用PD快充协议芯片汇总,覆盖18W-100W!
2023-04-23 16:48
PD快充协议是一种高速充电技术,能够快速给移动设备充电,并且不会产生过热等安全问题。而这种协议需要配合芯片才能实现快速充电,因此,在选择PD快充协议芯片时需要根据具体的使用场景以及需求进行选型,骊微电子推出18W/20W/35W/45W/65W/100W常用pd协议芯片方案。常用pd协议芯片18W/20W/35W/45W/65W/100W选型36W和36W以
PD
芯片
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p型mos管-30V/-100V/-150V选型,士兰微mos管代理
2022-11-11 15:17
P型MOS管是一种适合在低速、低频领域内应用的器件,P-MOSFET的栅极是绝缘的,属于电压控制器件,因而输入阻抗高,驱动功率小,电路简单。和N沟道MOSFET产品相比,P沟道MOSFET产品需求远小,但在某些应用领域,P沟道MOSFET因其本身的电性特点,有其不可替代性,目前骊微电子可提供-30~-150V,-3~-46A的P沟道MOSFET解决方案,封装
MOS管
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高压MOS管4N65/7N65/10N65/12N65,士兰微mos代理商!
2022-09-15 17:11
MOS管是一种金属—氧化物—半导体场效应晶体管,或称金属—绝缘体—半导体,具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,是中小功率应用领域的主流开关器件,广泛应用于通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等。骊微电子低压MOSFET主要用于消费电子领域,中高压MOSFET则主要用于工业、通讯、电动车等领域。4n65高压mos管参数型号:SVF4
MOS
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骊微电子续签2022-2023年无锡芯朋微深圳代理商!
2022-08-16 17:28
芯朋微电子成立于2005年,于2020年7月登陆上交所科创板,产品主要包括AC-DC、DC-DC、MotorDriver等,应用于家用电器、手机及平板的充电器、机顶盒及笔记本的适配器、移动数码设备、智能电表、工控设备等领域,与深圳市骊微电子科技有限公司建立了长期稳定的合作关系,代理销售Chipown品牌系列产品,包括家电电源、标准电源、消费数码、半桥驱动等,
电源
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IRFB4227PBF TO-220替代料200v mos管SVT20240NT 士兰微MOS代理
2022-06-27 14:57
MOSFET作为功率半导体广泛应用于汽车、家电、光伏、风电、轨交等领域,长期以来一直被国外厂商占据着大部分市场份额,受益于庞大的终端消费需求,国内终端厂商推进进口替代,骊微电子推出SVT20240NTN沟道增强型MOS管可替代IRFB4227PBFTO-220场效应管。irfb4227场效应管替代料SVT20240NT特征■72A,200V,RDs(on)(
MOS
800
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viper12a芯片代换料AP8012H电源控制芯片,降低成本!
2022-06-21 17:14
VIPER12A芯片采用SO-8或DIP-8两种封装,是ST,VIPer产品系列,应用功率5W-10W,典型应用于电池充电器的壁挂式适配器,以及电视和监视的待机电源领域,随着缺货涨价以及国内芯片产业生态发展的完善,国产替代势在必行,AP8012H在不改PCB及外围参数下可兼容替代viper12a芯片,实现进口替代!viper12a替代芯片ap8012h特征■
viper12a
电源控制芯片
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杭州士兰微mos有哪些型号及mos代理商
2022-06-01 15:43
士兰微mos管产品主要包括低高压、超结mos管,实现了沟槽栅低压MOS,沟槽屏蔽栅SGT-MOS,超级结MOS和IGBT等多个产品的量产,广泛应用于家电、工业、LED照明、汽车、消费类电子、影音设备等,缺货涨价潮助力国产替代加速,士兰微不断推进产品开发和升级,不仅在产能端实现了扩增,而且产品结构也在从低阶产品向更高价值量产品升级,实现进口替代。高压超结MOS
MOS
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ncp1252a芯片代替料启达启臣微CR1252A
2022-05-20 11:19
受多重因素影响,芯片的供应紧张仍未缓解,在缺“芯”困局之下,国产替代的呼声愈发高涨,许多国产厂商选择“PINtopin”的替代模式入局,骊微电子代理的启达启臣微CR1252A电源驱动芯片可代替ncp1252A芯片。ncp1252a代替芯片CR1252A特征■SOP-8L封装■内置软启动■内置斜波补偿■峰值电流限制■内置输入欠压自动恢复■内置LEB前沿消隐功能
芯片
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NCP1342驱动氮化镓国产替代—PN8213
2022-05-17 11:16
自从小米发布了旗下第一款采用GaN技术的充电器,市场上便掀起了GaN“快充风”,目前国内市场上手机、笔记本、平板等电子产品的GaN快充产品的核心器件—GaN驱动IC,基本上都依赖进口,骊微电子推出NCP1342驱动氮化嫁国产替代芯片—PN8213,适用于65W氮化镓充电器芯片方案。NCP1342替代芯片PN8213特征■内置高压启动电路■供电电压9~57V,
驱动
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ir2104驱动芯片代换料ID7U603SEC-R1 600V半桥预驱方案
2023-03-29 09:24
ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片,可兼容代换IR2104,应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动逆变器、全桥驱动逆变器等领域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特点■浮动工作电压可达600V■拉灌电流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的输入逻辑电平■dV/dt抗干扰能力±5
芯片
驱动
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20W A+C双口pd快充充电器方案|一站式服务
2023-03-09 16:41
自iPhone8开始,后续的苹果手机都支持快充,然而随着iPhone12系列手机的推出以及取消多部机型标配充电器这一传统,从iPhone的全球出货量来看,已经造成了上亿规模的快充市场空缺,深圳市骊微电子科技有限公司专注于电源方案设计开发,顺势推出20WA+C双口pd快充充电器方案,提供一站式服务。20WA+C双口pd快充充电器方案主控芯片采用PN8161SE-U1,该芯片内部集成了准谐振工作的电流
充电器
快充
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5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W充电器芯片方案
2022-10-19 15:59
充电器常用的芯片方案有5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W等多种功率类型,充电器中的核心元器件为充电器ic芯片,在充电环境中起到了至关重要的作用,选择合适的充电器电源芯片将大大延长电路寿命,也可以减少充电器的故障,下面骊微电子介绍几款充电器常用的芯片方案。基于PN8366的5V1A充电器电源应用方案■输入电压:90~264Vac;■输出功率:5W(5V1A);■待机
充电器芯片
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30V超低内阻mos管系列,锂电池专用mos管方案
2022-08-30 13:54
30V超低内阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用士兰的LVMOS工艺技术制造。具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。30v大电流mos管SVG030R7NL5:采用PDFN-8-5X6封装,漏源电压VDS=30V,漏极电流Tc=25℃:282A,导通电阻RDs(on)
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30V/40V/60V/80V/100V/150V/200V 常用mos管选型方案
2022-08-01 14:35
MOS管有两种结构形式,即N沟道型和P沟道型,结构不一样,使用的电压极性也会不一样,选择到一款正确的MOS管,可以很好地控制生产制造成本,确保设备得到高效、稳定、持久的应用效果,充分发挥其“螺丝钉”的作用,30V-200Vmos管广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。30Vmos管常用型号:SVG030R7NL5封装PDFN56,导通内阻0.7mΩSVG031R1NL5封装PDFN56,
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IR2110国产替代芯片ID7S625高压逆变器驱动芯片方案
2022-07-30 16:06
常见的MOS管驱动方式有非隔离的直接驱动、自举驱动,和有隔离的变压器驱动、光耦隔离驱动等,ir2110驱动芯片替代料ID7S625高压高低侧栅极驱动芯片是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器,广泛应用于DCDC转换器、功率MOSFET和IGBT驱动、DC/AC转换器等领域。ir2110替代芯片ID7S625特征■芯片工作电压范围10V~20V■输入逻辑兼容3.3
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65W PD快充方案PN8213+PN8307小体积低功耗
2022-06-10 17:06
65WPD快充方案不但可以支持手机的大功率快速充电还可以支持20V输出,可以为电脑充电,具有通用性好的优点,搭配氮化镓,体积可以做到很小,骊微电子推出65w快充方案PN8213+PN8307P+AP2080,具有小体积、大功率、高效率、超低待机功耗等特点,足以应对目前市场对65WPD快充的需求。PN8213内置800V高压启动管和X电容放电功能,专用于高性能的快速充电开关电源,待机功耗小于50mW
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ob3353代换料AP3160液晶电视常用背光驱动芯片方案
2022-05-31 16:57
OB3353是一款具有成本效益的LED驱动器,广泛应用于LCD显示器和LCDTV背光,随着国际市场芯片缺货及疫情等外部因素的影响下,加速了半导体行业国产替代的步伐,骊微电子推出OB3353国产替代料AP3160高性能异步升压LED驱动器,可兼容代换背光芯片OB3353。ob3353代换芯片AP3160特性■宽范围工作电压:9V~35Vl■宽范围PWM调光(1kHz~200kHz)l■120kHz开
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30W pd快充方案PN8165+PN8307H兼容20W PD方案
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自从iPhone12系列手机取消标配充电器以来,各大手机品牌纷纷跟进,目前Apple手机/平板电脑等多种数码产品充电功率需求进一步提升,20W快充已经无法满足快速充电需求,30WPD快充成了继20WPD快充之后的另一大潜力市场,骊微电子推出基于PN8165+PN8307H的30W小体积PD快充参考设计,以满足快充市场需求!30WPD套片方案:主控芯片采用PN8165,次级同步采用PN8307H(A
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PN8015集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,输出电压可通过FB电阻调整3.3V~24V,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN80155V0.2A风扇方案:■输入电压:90~265V■输出功率:≤1W■输出电压电流:5V/0.2A■拥有可恢复短路保护,输出过载保护。在启动阶段,内部高压启动管提供2.5mA电流对外部VDD电容进行充电;当VDD电压达到13.5V,
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