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ACPL-W349-000E 2.5A输出电流SiC / GaN MOSFET和IGBT栅极驱动光电耦合器

数据:

描述

Broadcom ACPL-W349是一款高速2.5A栅极驱动光电耦合器件,它包含一个AlGaAs LED,光耦合到具有功率输出的集成电路阶段。该器件非常适合驱动用于功率转换应用的SiC / GaN(碳化硅/氮化镓)MOSFET和IGBT。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该器件支持高轨到轨输出电压和高峰值输出电流,非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 100A的MOSFET和IGBT。 ACPL-W349具有高绝缘电压V IORM = 1140 V PEAK  符合IEC / EN / DIN EN 60747-5-5标准,并通过UL1577认证5000 V RMS 1分钟。

特性

  • 2.5A最大峰值输出电流
  • 宽工作V CC  范围:15至30 V
  • 110ns最大传播延迟
  • 50ns最大传播延迟差异 
  • 轨到轨输出电压
  • 100-kV /μs最小共模抑制(CMR)在 
    V CM   = 1500 V
  • 带迟滞的LED电流输入
  • I CC = 4.2 mA最大电源电流 
  • 带滞后的欠压锁定(UVLO)保护
  • 工业温度范围:-40°C至105°C
  • 安全认证:
    • UL认可5000 V RMS 1分钟。
    • CSA
    • IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM = 1140 V PEAK
  • 可用选项:
    060E = IEC / EN / DIN E. N 60747-5-5
    500E =卷带包装选项
    XXXE =无铅选项

应用

  • SiC / GaN MOSFET和IGBT栅极驱动器
  • 电机驱动器
  • 工业逆变器
  • 可再生能源逆变器
  • 开关电源(SPS)

技术文档

数据手册(1) 相关资料(22)
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