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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

BSS123 N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

数据： BSS123datasheet.pdf

产品信息

该 N 沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度 DMOS 技术生产。这款产品专为最大限度地降低通态电阻并提供耐用、可靠的快速开关性能而设计。 BSS123 特别适合于小型伺服电动机控制、功率MOSFET栅极驱动器等低电压、低电流应用，以及其他开关应用。

0.17 A, 100 V, R
= 6 Ω @ V
= 10 V
0.17 A, 100 V, R
= 10 Ω @ V
= 4.5 V
高密度单元设计可实现极低的 R
坚固而可靠
紧凑的工业标准 SOT-23 表面贴装封装

技术文档

数据手册（1）相关资料（8）

BSS123datasheet.pdf

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型号：BSS123 封装：SOT-23

品牌：BORN 描述： SOT23 300mW

金额：￥0.06987
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品牌：YANGJIE 描述： SOT23 350mW

金额：￥0.06720
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品牌：Slkor 描述： SOT23 250mW

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品牌：JSCJ 描述：MOSFETs N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=170mA RDS(ON)=6Ω SOT23-3

金额：￥0.10228
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