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1HP04CH P沟道小信号MOSFET -100V -170mA 18Ω

数据:

该功率MOSFET采用安森美半导体的沟槽技术生产,该技术专门用于最大限度地降低栅极电荷和低导通电阻。该器件适用于低栅极电荷驱动或低导通电阻要求的应用。
特性 优势
  • 高压(100V)
  • 用于存储48V的LiB电路
  • 高速开关和低损耗
  • 对应于电机电路所需的特性
  • 符合RoHS标准
  • 环境考虑
  • 4V驱动器
  • ESD二极管保护门
应用 终端产品
  • 锂离子电池充电和放电C平衡
  • 锂离子电池充电器

电路图、引脚图和封装图




技术文档

数据手册(1) 相关资料(2)
元器件购买 1HP04CH 相关库存

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