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TP2522 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm

数据: TP2522datasheet.pdf

产品信息

这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

;低阈值(最高-2.4V)

高阻抗

低输入电容(最大125pF)

&nbsp ; 快速切换速度

低导通电阻

免于二次故障

低输入和输出泄漏

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册(1)
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