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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

TP2535 MOSFET，P-CHANNEL增强型，-350V，25欧姆

数据：

产品信息

这种低阈值，增强型（常关）晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性，不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压，高击穿电压，高输入阻抗，低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。

低阈值（最高-2.4V）

高阻抗

低输入电容（典型值为60pF）

快速切换速度

低导通电阻

;免于二次故障

低输入和输出泄漏

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册（0）

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