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VP0109 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-90V,8.0欧姆

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产品信息

这种增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。

免于二次故障

低功率驱动要求

;易于并联

低CISS和快速切换速度

卓越的热稳定性

整体源 - 排水二极管

高输入阻抗和高增益

电路图、引脚图和封装图

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