VP2206 MOSFET，P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE，-60V，0.9 Ohm

VP2206是一种增强型（常关）晶体管，采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性，不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压，高击穿电压，高输入阻抗，低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

;免于二次故障

低功率驱动要求

易于并联

低连续供电和快速切换速度

高输入阻抗和高增益

出色的热稳定性

集成式源极 - 漏极二极管