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VP2110 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-100V,12 Ohm

数据: VP2110datasheet.pdf

产品信息

VP2110是一种增强型(常关)晶体管,采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

;免于二次故障

低功率驱动要求

易于并联

低连续供电和快速切换速度

出色的热稳定性

整体式源极 - 漏极二极管

高输入阻抗和高增益

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册(1)
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