N01S818HA 串行SRAM存储器 超低功耗 1 Mb 1.7 - 2.2 V

安森美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件，包括1Mb串行访问的StaticRandom存储器，内部组织为128 K字乘以8 bi t s。这些器件采用北美半导体先进的CMOS技术设计和制造，可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单片选（CS）输入工作，并使用简单的串行外设接口（SPI）协议。在SPI模式下，单个数据输入（SI）和数据输出（SO）线与时钟（SCK）一起用于访问器件内的数据。在DUAL模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出（SIO0-SIO1）线，在QUAD模式下，四个多路复用数据输入/数据输出（SIO0-SIO3）线与时钟一起使用以访问存储器。器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作，采用8引脚TSSOP封装。