N25S818HA 串行SRAM存储器 256 kb 1.8 V

安森美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件，包括这个256 kb串行访问的静态随机存取存储器，内部组织为32 k字乘8位。这些器件采用先进的CMOS技术设计和制造，可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单芯片选择（CS）输入工作，并使用简单的串行外设接口（SPI）串行总线。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问设备内的数据。 N25S818HA器件包含一个HOLD引脚，可以暂停与器件的通信。暂停时，输入转换将被忽略。这些器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作，并可提供多种标准封装产品。