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FAN5026 双输出/ DDR PWM控制器

数据: 数据表:FAN5026CN-D.pdf

FAN5026 PWM控制器为两个输出电压提供高效率的调节,可调范围从0.9v至5.5V,这是高性能计算机,机顶盒以及VGA卡中的电源I / O,芯片组,存储器库所必需的。同步整流有利于在较宽的负载范围内获得高效率。如果使用MOSFETR DS(ON)作为电流感测组件,效率还可进一步提高。斜坡调制,平均电流模式控制机制以及内部反馈补偿等功能实现了负载瞬态快速响应。具有180°相位偏移的异相操作减少了输入电流纹波。控制器可通过激活专用引脚,转变成完全的DDR存储器电源解决方案。在DDR模式中,一个通道跟踪另一通道的输出电压并提供输出灌电流和源功能,这对于DDR芯片正确加电至关重要。还提供了此类存储器所需的缓冲参考电压.FAN5026监控这些输出,并在软启动完成并输出在其设定点的±10%内时生成独立的PGx(电源正常)信号。压保护可防止输出电压超过其设定点的120%。过压条件停止后,会自动恢复正常操作。当输出在其软启动序列完成后降至其设定值的75%以下时,欠压保护会闩锁芯片。可调过流功能通过感测较低MOSFET两端的压降来监控输出电流。需要精确电流感测时,可使用外部电流感测电阻。
特性
  • 高灵活性,双同步开关PWM控制器包括以下模式:
  • 带同相操作的DDR模式,用于减少通道干扰
  • 90°相位偏移的两阶DDR模式,用于减少输入纹波
  • 双独立调节器,180°相位偏移
  • 完整DDR存储器电源解决方案
  • V TT 跟踪V DDQ / 2
  • V DDQ / 2 缓冲参考输出
  • 低端MOSFET上的无损电流感测或者使用感测电阻的精确过流
  • V CC 欠压闭锁
  • 宽输入范围:3V至16V
  • 卓越动态响应,使用电压前馈和平均电流模式控制
  • 电源正常信号
  • 支持DDR-II和HSTL
  • 28引脚薄型小封装
应用
  • TBA

电路图、引脚图和封装图




技术文档

数据手册(1) 相关资料(2)
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