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MAT01 匹配单芯片双通道晶体管

数据: MAT01产品技术英文资料手册

优势和特点

  • 低VOS(VBE匹配): 40 μV(典型值);100 μV(最大值)
  • 低TCVOS: 0.5 μV/°C(最大值)
  • 高hFE: 500(最小值)
  • 出色的hFE线性度:从10 nA至10 mA
  • 低噪声电压: 0.23 μV p-p(0.1 Hz至10 Hz)
  • 高击穿电压: 45 V(最小值)

产品详情

MAT01是一款单芯片双通道NPN晶体管。专有的氮化硅“三重钝化”工艺使器件的关键参数在温度和时间范围内具有出色的稳定性。匹配特性包括失调电压40µV、温度漂移0.15µV/°C及hFE匹配为0.7%。

该器件通过60倍范围的集电极电流提供极高的h,包括在集电极电流仅为10nA的情况下具有出色的hFE 值590。该器件能够在较低集电极电流的情况下提供高增益,适合在低功耗、低电平输入级中使用。

方框图



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数据手册(1)