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HMC7586 71 GHz至76 GHz,E频段I/Q下变频器

数据: HMC7586产品技术英文资料手册

优势和特点

  • 转换增益: 12.5 dB(典型值)
  • 镜像抑制: 28 dBc(典型值)
  • 噪声系数: 5 dB(典型值)
  • 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率: -9 dBm(典型值)
  • 输出三阶交调截点(IP3): -1 dBm(典型值)
  • 输出二阶交调截点(IP2): 20 dBm(典型值)
  • RFIN上6倍本振(LO)泄漏: -40 dBm(典型值)
  • IFOUT上1倍LO泄漏: -50 dBm(典型值)
  • 射频(RF)回波损耗: 5 dB(典型值)
  • LO回损: 20 dB(典型值)
  • 裸片尺寸: 3.599 mm × 2.199 mm × 0.05 mm

产品详情

HMC7586是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)同相和正交(I/Q)下变频器芯片,工作频率范围为71 GHz至76 GHz。 HMC7586在整个频段内提供12.5 dB小信号转换增益和28 dBc镜像抑制性能。 该器件采用低噪声放大器,后接由6倍倍频器驱动的图像抑制混频器。

该镜像抑制混频器使得低噪声放大器之后无需使用滤波器。 可针对直接变频应用提供差分I和Q混频器输出。 或者,可利用外部90°混合型器件和两个外部180°混合型器件将输出合并,以实现单边带应用。 所有数据包括IF端口上1 mil金线焊的效应。

应用

  • E频段通信系统
  • 高容量无线回程
  • 测试与测量

方框图





技术文档

数据手册(1)
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