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TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

数据: TLVx314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器、RRIO 运算放大器 数据表

描述

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。

TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。

此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。

TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。

特性

  • 符合汽车类应用的要求
  • 具有符合AEC-Q100标准的下列结果:
    • 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围
    • 器件HBM ESD分类等级3A
    • 器件CDM ESD分类等级C6
  • 低偏移电压:0.75mV(典型值)
  • 低输入偏置电流:1pA的(典型值)
  • 宽电源电压范围:1.8 V至5.5V
  • 轨到轨输入和输出
  • 增益带宽:3MHz
  • 低I Q :每通道250μA(最大值)
  • 低噪声:1kHz时为16nV /√ Hz
  • 内部射频(RF)和电磁干扰(EMI)滤波器
  • 通道数量:
    • TLV314-Q1:1
    • TLV2314-Q1:2
    • TLV4314-Q1:4
  • 扩展温度范围:
    -40°C至+ 125°C

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 通用 运算放大器

  Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) GBW (Typ) (MHz) Slew Rate (Typ) (V/us) Rail-to-rail Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV) Iq per channel (Typ) (mA) Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz) Rating Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) Offset drift (Typ) (uV/C) Features CMRR (Typ) (dB) Output current (Typ) (mA) Architecture   TLV2314-Q1 TLV314-Q1 TLV4314-Q1 2     1     4     1.8     1.8     1.8     5.5     5.5     5.5     3     3     3     1.5     1.5     1.5     In
Out     In
Out     In
Out     3     3     3     0.15     0.15     0.15     16     16     16     Automotive     Automotive     Automotive     -40 to 125     -40 to 125     -40 to 125     SOIC | 8     SOT-23 | 5     TSSOP | 14     8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9 (SOIC | 8)     5SOT-23: 8 mm2: 2.8 x 2.9 (SOT-23 | 5)     14TSSOP: 32 mm2: 6.4 x 5 (TSSOP | 14)     2     2     2     Cost Optimized
EMI Hardened     Cost Optimized
EMI Hardened     Cost Optimized
EMI Hardened     96     96     96     20     20     20     CMOS     CMOS     CMOS    

技术文档

数据手册(1)