BQ2201 SRAM 非易失性控制器 IC，用于 1 个 SRAM 内存组

描述

CMOS bq2201 SRAM非易失性控制器单元提供将标准CMOS SRAM转换为非易失性读/写存储器所需的所有功能。

精密比较器监视5V V _CC 输入是否超出容差条件。当检测到超出容差范围时，有条件芯片使能输出被强制为无效，以对任何标准CMOS SRAM进行写保护。

在电源故障期间，外部SRAM从V _CC 电源切换到两个3V备用电源之一。在随后的上电中，SRAM被写保护，直到存在电源有效状态。

bq2201具有足迹和时序兼容的行业标准，并具有芯片使能传播延迟小于10ns的额外优势。

特性

• 3伏电池备份应用的电源监控和切换
• 写保护控制
• 3伏主电池输入
• 小于10ns芯片使能传播延迟
• 5％或10％供电操作

参数 与其它产品相比 电池保护器

  Features Rating Package Group Approx. price (US$)   BQ2201 Controller     Catalog     SOIC | 8     2.21 | 1ku