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SN74LVTH16373 具有三态输出的 3.3V ABT 16 位透明 D 类锁存器

数据:

描述

'LVTH16373器件是16位透明D型锁存器,具有3态输出,设计用于低压(3.3V)VCC操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。这些器件特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。

这些器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入设置的电平。

缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动器提供了在没有接口或上拉组件的情况下驱动总线线路的能力。

OE不影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。

有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。建议不要使用上拉或下拉电阻与总线保持电路。

当VCC介于0和1.5 V之间时,器件处于高阻态上电或断电。但是,为了确保1.5 V以上的高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。

这些器件完全适用于使用Ioff和上电3的热插拔应用-州。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置于高阻态,从而防止驱动器冲突。

特性

  • 德州仪器广播公司成员家族
  • 最先进的高级BiCMOS技术(ABT) 3.3V工作和低静态功耗的设计
  • 支持混合模式信号操作(具有3.3VVCC的5V输入和输出电压)
  • 支持低至2.7 V的未调节电池工作
  • 典型VOLP(输出接地反弹)< 0.8 V,VCC= 3.3 V ,TA= 25°C
  • Ioff和上电3状态支持热插入
  • 总线保持数据输入消除了对外部上拉/下拉电阻的需求
  • 分布式VCC和GND引脚最大限度地降低了高速开关噪声
  • 流通式架构优化PCB布局
  • 闩锁性能超过每JESD 500 mA 17
  • ESD保护超过JESD 22
    • 2000-V人体模型(A114-A)
    • 200-V机型(A115-A)

Widebus是商标o f德州仪器。

参数 与其它产品相比 D 类锁存器

 
Technology Family
VCC (Min) (V)
VCC (Max) (V)
Bits (#)
Voltage (Nom) (V)
F @ Nom Voltage (Max) (Mhz)
ICC @ Nom Voltage (Max) (mA)
tpd @ Nom Voltage (Max) (ns)
IOL (Max) (mA)
IOH (Max) (mA)
3-State Output
Rating
Operating Temperature Range (C)
Pin/Package
 
SN74LVTH16373 SN54LVTH16373 SN74LVTH16373-EP
LVT     LVT     LVT    
2.7     2.7     2.7    
3.6     3.6     3.6    
16     16     16    
3.3     3.3     3.3    
160     160     160    
5     5     5    
3.8     3.8     3.8    
64     64     64    
-32     -12     -32    
Yes     Yes     Yes    
Catalog     Military     HiRel Enhanced Product    
-40 to 85     -55 to 125     -40 to 85
-55 to 125    
48SSOP
48TSSOP
54BGA MICROSTAR JUNIOR
56BGA MICROSTAR JUNIOR    
48CFP     48SSOP
48TSSOP
56BGA MICROSTAR JUNIOR    
  无样片  

技术文档

数据手册(1)
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