0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

TPS28226 8 引脚高频 4A 吸入电流同步 MOSFET 驱动器

数据:

描述

这是一款用于N通道互补驱动功率MOSFET的高速驱动器,具有自适应死区时间控制功能。该驱动器经过优化,适用于各种大电流单相和多相DC-DC转换器。这是一种提供高效率,小尺寸和低EMI辐射的解决方案。

效率高达8.8V栅极驱动电压,14ns自适应死区时间控制,14ns传播延迟和高电流2-A源和4A吸收驱动能力。较低栅极驱动器的0.4Ω阻抗使功率MOSFET的栅极保持在其阈值以下,并确保在高dV /dt相位节点转换时没有直通电流。由内部二极管充电的自举电容允许在半桥配置中使用N沟道MOSFET。

特性

  • 驱动两个具有14 ns自适应死区时间的N沟道MOSFET
  • 宽栅极驱动电压:4.5 V至8.8 V,7 V至8 V时效率最高
  • 宽功率系统列车输入电压:3 V至27 V
  • 宽输入PWM信号:2.0 V至13.2 V幅度
  • 能够驱动每相电流≥40-A的MOSFET
  • 高频工作:14 ns传播延迟和10 ns上升/下降时间允许F SW - 2 MHz
  • 能够传播< 30 ns输入PWM脉冲
  • 低侧驱动器漏极导通电阻(0.4Ω)防止dV /dT相关拍摄 - 通过电流
  • 用于功率级关断的3态PWM输入
  • 同一引脚上的节省空间使能(输入)和电源良好(输出)信号
  • 热量关机
  • UVLO保护
  • 内部自举二极管
  • 经济型SOIC-8和耐热增强型3 mm x 3 mm DFN-8封装
  • < li>流行的三态输入的高性能替换t司机

参数 与其它产品相比 半桥驱动器

 
Number of Channels (#)
Power Switch
Bus Voltage (V)
Peak Output Current (A)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Prop Delay (ns)
Iq (uA)
Input Threshold
Channel Input Logic
Negative Voltage Handling at HS Pin (V)
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
TPS28226 TPS28225
2     2    
MOSFET     MOSFET    
24     24    
6     6    
6.8     4.5    
8     8    
10     10    
5     5    
14     14    
350     350    
TTL     TTL    
TTL     TTL    
0     0    
Synchronous Rectification     Synchronous Rectification    
Catalog     Catalog    
-40 to 125     -40 to 125    
SOIC
SON    
SOIC
SON    

方框图 (1)

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 TPS28226 相关库存