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LPC660 CMOS四路运算放大器非常适合单电源供电。它具有+ 5V至+ 15V的各种工作电压,并具有轨到轨输出摆幅以及包括接地的输入共模范围。过去困扰CMOS放大器的性能限制不是这种设计的问题。输入V OS ,漂移和宽带噪声以及电压增益(分别为100kΩ和5kΩ)均等于或优于广泛接受的双极性等效电路,而电源要求通常小于1 mW。
该芯片采用美国国家半导体先进的双多晶硅栅极CMOS工艺制造。
有关双CMOS运算放大器的LPC662数据表和单个CMOS的LPC661数据表具有这些相同功能的运算放大器。
所有商标均为其各自所有者的财产。
Number of Channels (#) |
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
GBW (Typ) (MHz) |
Slew Rate (Typ) (V/us) |
Rail-to-Rail |
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
Iq per channel (Typ) (mA) |
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
Rating |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
Package Size: mm2:W x L (PKG) |
Offset Drift (Typ) (uV/C) |
Features |
Input Bias Current (Max) (pA) |
CMRR (Typ) (dB) |
Output Current (Typ) (mA) |
Architecture |
LPC660 |
---|
4 |
5 |
15 |
0.35 |
0.11 |
In to V- Out |
3 |
0.04 |
42 |
Catalog |
-40 to 85 |
SOIC |
14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC) |
1.3 |
N/A |
20 |
83 |
21 |
CMOS |