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LPC660 低功耗 CMOS 四路运算放大器

数据:

描述

LPC660 CMOS四路运算放大器非常适合单电源供电。它具有+ 5V至+ 15V的各种工作电压,并具有轨到轨输出摆幅以及包括接地的输入共模范围。过去困扰CMOS放大器的性能限制不是这种设计的问题。输入V OS ,漂移和宽带噪声以及电压增益(分别为100kΩ和5kΩ)均等于或优于广泛接受的双极性等效电路,而电源要求通常小于1 mW。

该芯片采用美国国家半导体先进的双多晶硅栅极CMOS工艺制造。

有关双CMOS运算放大器的LPC662数据表和单个CMOS的LPC661数据表具有这些相同功能的运算放大器。

特性

  • 轨到轨输出摆动
  • 微功率运行:(1 mW)
  • 指定对于100kΩ和5kΩ负载
  • 高压增益:120 dB
  • 低输入失调电压:3 mV
  • 低失调电压漂移:1.3μV/° C
  • 超低输入偏置电流:2 fA
  • 输入共模包括V -
  • 工作范围从+ 5V到+ 15V
  • 低失真:1%时0.01%
  • 压摆率:0.11 V /μs
  • 全军用温度。可用范围

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 通用 运算放大器

 
Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Features
Input Bias Current (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Output Current (Typ) (mA)
Architecture
LPC660
4    
5    
15    
0.35    
0.11    
In to V-
Out    
3    
0.04    
42    
Catalog    
-40 to 85    
SOIC    
14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC)    
1.3    
N/A    
20    
83    
21    
CMOS    

方框图 (1)

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 LPC660 相关库存

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