TPS50601-SP V 类 1.6V 至 6.3V 输入、6A 同步降压 SWIFT 转换器

数据： TPS50601-SP 抗辐射加固型 1.6V 至 6.3V 输入、6A 同步降压转换器数据表

描述

TPS50601-SP是一款抗辐射加固型6.3V，6A同步降压转换器。该器件通过高效率以及集成高侧和低侧MOSFET的方式针对小型设计进行了优化。通过电流模式控制减少组件数量，并通过高开关频率缩小电感器封装尺寸，来进一步节省空间。此器件提供耐热增强型20引脚陶瓷，双列直插扁平封装。

这些部件仅用于工程评估。以非合规性流程对其进行了处理（即未进行老化处理等操作）并且仅在25°C的额定温度下进行了测试。部件不适用于质检，生产，辐射测试或飞行。这些零部件无法在-55°C至125°C的完整MIL额定温度范围内或运行寿命中保证其性能。要了解所有可用封装，请参见已知的合格芯片采用叠片封装的裸片

输出电压启动斜坡由SS /TR引脚控制，可实现独立电源运行，或者跟踪状态下的运行。此外，正确配置启用与开漏电源正常引脚也可实现电源排序。

高侧FET的逐周期电流限制可在过载情况下保护器件，并通过低侧电源限流防止电流失控，从而实现功能增强。此外，还提供可关闭低侧MOSFET的低侧吸收电流限值，以防止过多的反向电流。当芯片温度超过热关断温度时，热关断禁用此部件。

特性

5962R10221：
- 抗辐射加固保障（RHA）高达100kRAD（Si）的总电离剂量（TID）
- 无低剂量率辐射损伤增强（ELDRS）100 kRAD（Si） - 10mRAD（Si）/s
- 单粒子锁定（SEL）对于
  线性能量传输（LET）的抗扰度= 85MeV-cm ² /mg（请参见）
- 单粒子烧毁（SEB）和单粒子栅穿（SEGR）的抗扰度为85MeV-cm ² /mg，提供安全运行区域（SOA）曲线（请参见）
- 提供单粒子瞬变/单粒子功能中断（SET /SEFI）横截面图（请参见）
峰值效率：95％（V _O = 3.3V）
集成了55mΩ/50mΩ金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）
分离电源轨：PVIN上的电压为1.6V至6.3V
电源轨：VIN上的电压为3V至6.3V
6A最大输出电流
灵活的开关频率选项：
- 100kHz至1MHz可调内部振荡器
- 外部同步功能的频率范围： 100 kHz至1MHz
- 可针对主/从设备将同步引脚配置为500kHz输出应用
25°C下的电压基准为0.795V ±1.258％
单调启动至预偏置输出
通过外部电容进行调节的软启动
用于电源排序的输入使能和电源正常输出
针对欠压及过压的电源良好输出监控
可调节输入欠压锁定（UVLO）
20引脚耐热增强型陶瓷扁平封装（HKH）
请访问www.ti.com/swift获取SWIFT文档
请参见工具和软件（工具与软件）选项卡

应用

用于现场可编程门阵列（FPGA），微控制器和专用集成电路（ASIC）的太空卫星负载点电源
太空卫星有效载荷
抗辐射应用
可用于军用温度范围（-55°C至125°C）
提供工程评估（/EM）样品^（1）

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数与其它产品相比非隔离式直流/直流开关稳压器


Type
Vin (Min) (V)
Vin (Max) (V)
Vout (Min) (V)
Vout (Max) (V)
Iout (Max) (A)
Regulated Outputs (#)
Duty Cycle (Max) (%)
Switching Frequency (Min) (kHz)
Switching Frequency (Max) (kHz)
Iq (Typ) (mA)
Operating Temperature Range (C)
Rating
Package Group