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DRV5012 超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器

数据: DRV5012 超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器 数据表

描述

DRV5012器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。™

当南磁极靠近封装顶部并且超出B OP 阈值时,该器件会驱动低电压。输出会保持低电平,直到应用北极并且超出B RP 阈值, B OP 和B RP 以提供可靠切换。 p>

通过使用内部振荡器,DRV5012器件对磁场进行采样,并根据SEL引脚以20Hz或2.5kHz的速率更新输出。这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化。

此器件通过1.65V至5.5V的V CC 工作,并采用小型X2SON封装。

特性

  • 行业领先的低功耗特性
  • 可通过引脚选择的采样率:
    • SEL =低电平:使用1.3μA(1.8V)时为20Hz
    • SEL =高电平:使用142μA(1.8V)时为2.5kHz
  • V CC 工作电压范围为1.65V至5.5V
  • 高磁性灵敏度:±2mT(典型值)
  • 可靠磁滞: 4mT(典型值)
  • 推挽式CMOS输出
  • 小型纤薄X2SON封装
  • 运行温度范围:-40°C至+ 85°C < /li>

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关

 
Type
Supply Voltage (Vcc) (Min) (V)
Supply Voltage (Vcc) (Max) (V)
Operate Point (Max) (mT)
Release Point (Min) (mT)
Output
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Pin/Package
DRV5012 DRV5011 DRV5013
Latch     Latch     Latch    
1.65     2.5     2.5    
5.5     5.5     38    
3.3     3.8     3.4
5
9
18    
-3.3     -3.8     -3.4
-5
-9
-18    
Push-pull output driver     Push-pull output driver     Open drain    
-40 to 85     -40 to 135     -40 to 125    
X2SON     SOT-23
X2SON    
SOT-23    
4X2SON     3SOT-23
4X2SON    
3SOT-23    

方框图 (1)


技术文档

数据手册(1)
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