0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

TS3DDR32611 1A 峰值灌/拉 PCDDR3 终端稳压器

数据:

描述

TS3DDR32611是一款灌电流/拉电流双倍数据速率类型III(PCDDR3)端接稳压器,此稳压器具有一个精度为1%的经缓冲基准输出。它具有内置的端接单刀单掷(SPST)开关,此开关可在内存系统经历较低速运行时被断开,而无需电压端接。关闭这些开关可在很大程度上节约内存系统的能耗。此开关具有一个典型值为1.75Ω的导通电阻,这有助于保持信号线路上的信号完整性。

TS3DDR32611由一个3.3V电源供电.V DDQ 引脚汲取的输入电压范围为1.2V至1.8V,而V TT 引脚上的输出电压随1/2×V DDQ 的变化而变化。稳压器的V TT 输出能够灌入/拉出高达1A的电流,而V REF 引脚输出是1 /2V DDQ ±1%×V DDQ ,具有5mA电流灌入/拉出能力.TS3DDR32611具有4个运行模式:高速,低速,V REF 模式和断电模式,这些运行模式取决于控制信号VTT_EN和ODT_EN。这些不同的运行模式提供了建立一个内存系统的性能和功耗的灵活性。

TS3DDR32611采用一个尺寸只有4mm x 4mm的小型48焊球球状引脚栅格阵列(BGA)封装,这使得此器件成为移动应用的理想选择。

特性

  • VDD范围 - 3.0V至3.6V
  • R ON 1.75Ω典型值< /li>
  • 通道计数 - 26
  • V DDQ - 输入电压1.2V至3.5V
  • V TT - V DDQ /2典型值1A的灌电流/拉电流能力
  • V REF - V DDQ /2 ±1%×V DDQ
  • 开关时间 - (T 开/关)最大值100ns
  • I DD 电源电流
    • 高速模式(I DD,HS )最大值220μA
    • 低速模式(I DD,LS )最大值220μA
    • 断电模式(I DD,PD )最大值5μA
  • 特殊特性< ul>
  • 1.8V兼容控制输入(VTT_EN,ODT_EN)
  • 高电流灌入/拉出能力:最大值1A
  • 48焊球ZQC封装(4mm x 4mm,0.5mm焊球间距)

应用范围

  • 移动器件中双倍数据速率类型3(PCDDR3)端接和稳压

参数 与其它产品相比 特定于协议的开关/多路复用器

 
Protocols
Configuration
Number of Channels (#)
VCC (Min) (V)
VCC (Max) (V)
Ron (Typ) (Ohms)
Input/Ouput Voltage (Min) (V)
Input/Ouput Voltage (Max) (V)
ICC (Max) (uA)
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Package Group
ESD Charged Device Model (kV)
Ron (Max) (Ohms)
Ron Channel Match (Max) (Ω)
Turn on Time (Enable) (Max) (ns)
VIH (Min) (V)
VIL (Max) (V)
TS3DDR32611
DDR3    
1:1 SPST    
26    
3    
3.6    
1.75    
0    
3.6    
220    
48BGA MICROSTAR JUNIOR: 16 mm2: 4 x 4(BGA MICROSTAR JUNIOR)    
BGA MICROSTAR JUNIOR    
0.5    
4    
0.2    
100    
1.3    
0.6    

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 TS3DDR32611 相关库存