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TS3DDR32611是一款灌电流/拉电流双倍数据速率类型III(PCDDR3)端接稳压器,此稳压器具有一个精度为1%的经缓冲基准输出。它具有内置的端接单刀单掷(SPST)开关,此开关可在内存系统经历较低速运行时被断开,而无需电压端接。关闭这些开关可在很大程度上节约内存系统的能耗。此开关具有一个典型值为1.75Ω的导通电阻,这有助于保持信号线路上的信号完整性。
TS3DDR32611由一个3.3V电源供电.V DDQ 引脚汲取的输入电压范围为1.2V至1.8V,而V TT 引脚上的输出电压随1/2×V DDQ 的变化而变化。稳压器的V TT 输出能够灌入/拉出高达1A的电流,而V REF 引脚输出是1 /2V DDQ ±1%×V DDQ ,具有5mA电流灌入/拉出能力.TS3DDR32611具有4个运行模式:高速,低速,V REF 模式和断电模式,这些运行模式取决于控制信号VTT_EN和ODT_EN。这些不同的运行模式提供了建立一个内存系统的性能和功耗的灵活性。
TS3DDR32611采用一个尺寸只有4mm x 4mm的小型48焊球球状引脚栅格阵列(BGA)封装,这使得此器件成为移动应用的理想选择。
Protocols |
Configuration |
Number of Channels (#) |
VCC (Min) (V) |
VCC (Max) (V) |
Ron (Typ) (Ohms) |
Input/Ouput Voltage (Min) (V) |
Input/Ouput Voltage (Max) (V) |
ICC (Max) (uA) |
Package Size: mm2:W x L (PKG) |
Package Group |
ESD Charged Device Model (kV) |
Ron (Max) (Ohms) |
Ron Channel Match (Max) (Ω) |
Turn on Time (Enable) (Max) (ns) |
VIH (Min) (V) |
VIL (Max) (V) |
TS3DDR32611 |
---|
DDR3 |
1:1 SPST |
26 |
3 |
3.6 |
1.75 |
0 |
3.6 |
220 |
48BGA MICROSTAR JUNIOR: 16 mm2: 4 x 4(BGA MICROSTAR JUNIOR) |
BGA MICROSTAR JUNIOR |
0.5 |
4 |
0.2 |
100 |
1.3 |
0.6 |