LDLN025M18R STMicroelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO
数据:
STMicroelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO.pdf
STMicroelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO的输入电压范围为1.5V至5.5V,250mA负载下的压差极低。LDLN025可延长需要长待机时间应用的电池寿命。该LDO的静态电流非常低,空载时仅12μA。LDLN025提供非常干净的输出,得益于其超低噪声值和高电源抑制比 (PSRR) 特性,非常适合用于超敏感型负载。该LDO采用陶瓷电容器,因此性能稳定。
特性
- 超低输出噪声:6.5μ VRMS
- 工作输入电压范围:1.5V至5.5V
- 输出电流高达250mA
- 非常低的静态电流:空载时为12μA
- 超低压差:250mV (250mA)
- 极高PSRR:80dB@100Hz、60dB@100kHz
- 线路、负载和温度范围内的输出电压精度:2%
- 输出电压版本:1V - 5V,步长为50mV
- 掉电条件下Iq受控
- 逻辑控制电子关断
- 输出放电特性
- 内部软启动
- 过流和热保护
- 温度范围:-40°C至+125°C
- 封装:Flip-Chip4、DFN-1x1