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STMicroelectronics L6494高压高/低侧2A栅极驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。这些高压器件采用BCD6“离线”技术制造。高侧（浮动）截面设计承受高达500V的直流电压轨，具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL，低至3.3V，可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。
该器件是单输入栅极驱动器，具有可编程死区时间，并设有低电平有效关断引脚。L6494特别适合中、高容量功率MOSFET/IGBT。两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流， 位于下、上驱动部分的独立UVLO保护电路防止在低效率或危险条件下操作电源开关。这些驱动器的集成式自举二极管和所有集成功能让应用PCB设计更简单、更紧凑，从而减少物料清单总体成本。
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